- 采用45纳米低成本低功率普通CMOS体效应技术
Crolles2联盟在京都VLSI研讨会上宣布的论文，为未来的低成本、低功耗、高密度消费电路采用超小制程尺寸又添新选择
日本京都 (2005年 VLSI 研讨会) ， 2005年6月15日 – Crolles2联盟今天宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文*，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。
Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体(NYSE: F
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Crolles2 存储器
- Crolles2 联盟成员飞思卡尔、飞利浦与意法半导体扩大了该联盟的半导体合作研发活动范围，合作项目除最初的100-nm以下的CMOS制造工艺外还包括了相关的晶片检测与封装的研发活动。
飞利浦半导体公司高级副总裁兼技术总监Ren
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Crolles2 联盟 封装
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