凌特公司（Linear Technology）推出一个采用 ThinSOTTM（SOT-23）封装的降压型 DC/DC 控制器 LTC3801。该产品专为延长电池使用寿命而设计，可将待机电流消耗降至仅为 16uA。LTC3801 在正常工作、轻负载时的突发模式（Burst Mode
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凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4059 微型单节锂离子电池线性充电器，它无需使用 3 个分立功率组件，在不使系统温度过高的情况下提高充电速度，并检测和报告充电电流值。此外，该产品采用最小的封装，但却没有影响热性能。整个解决方案仅需要两个分立组件（输入电容器与充电电流设置电阻器），而且只占用 2.5mm x 2.7mm 面积。LTC4059 的 2mm x 2mm DFN 封装占位面积比 SOT-23 封装的一半还小，提供 600C/W 的更低热阻以改善散热功能。通过正确的 PC
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凌特公司（Linear Technology）推出一个 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器 LT3467，它兼有 42V、1.1A 内部开关和软启动功能。LT3467 采用恒定频率电流模式架构，在 2.4V 到 16V 输入电压范围内工作，从而使它成为单节锂离子电池、5V 或 12V 应用的理想选择。它内部的 42V 开关非常适合输出高达 40V 的升压型转换器以及 SEPIC 和返激式设计。通过一个集成的可编程软启动功能消除了大浪涌电流，而 1.3MHz 的恒定开关频率实现了低噪声工作。Thin
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP（倒装引脚铸模封装）中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench
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安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，其硅锗（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装，进一步拓展了该公司在高速数据与时钟管理元件市场的地位。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比，节省电路板空间，同时大幅提高了热性能。采用QFN封装的Gigacomm™器件目前额定温度范围为-40° C to +85° C，尺寸为3 mm x 3 mm，比倒装球栅阵列（FCBGA）封装减少44%。QFN封装 采用QFN封装的G
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安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于不断推出高性能、节省空间的器件，新推出的五款保护器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563单封装内集成了多个瞬变电压抑制（TVS）元件。这些SOT5xx封装TVS器件不仅符合静电放电（ESD）保护的严格要求，更较传统的SC88封装减少电路板空间达36%，降低厚度40%。它们可理想应用于重视电路板空间的便携设备，例如手机、数字照相机、MP3播放器、掌上游戏机以及PDA。安森美半导体副总裁兼集成电源产品总经理Ramesh Ramc
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安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）不断提升产品性能，在其品种全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封装。这五十款器件[包括瞬变电压抑制（TVS）元件与肖特基二极管]现已提供低厚度的扁平引脚封装。今年稍后，将有更多新型封装的器件面世。安森美半导体副总裁兼标准元件部总经理Charlotte Diener说：“由于SOD-123FL优化电路板空间占用每单位内的功率耗散，该封装是便携与无线电路板设计所需之TVS元件与肖特基二极管的理想选择，此类设计必须符合电源管理和保护的严格要求。” SO
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引脚芯片级无引脚封装，具备1、2和3位逻辑和开关功能。全新的TinyLogic
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安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）率先推出35个以上采用SOT553 和SOT563超小型、低厚度、无铅有引线封装的小信号、标准逻辑及二极管阵列器件。公司将会在第二季度末推出同样封装的另外15个新器件。安森美半导体副总裁兼标准元件部门总经理Charlotte Diener说：“安森美半导体发现，电路板设计人员对我们具实效的小体积封装标准及集成标准元件的需求日益增加，这种封装能在世界最多的领先电路板制造商采用的取放设备上装配，同时可进行目视检验——因为这仍是一种通用、经济的行业惯例。安森美半导体
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优化的LFPAK封装MOSFET具有接近于零的封装电阻和低热阻，电性能极好，所需元件数量更少皇家飞利浦电子集团扩展其功率MOSFET产品系列，推出创新性的SOT669无损封装（LFPAK）。新LFPAK器件针对DC/DC转换器应用而设计，具有体积更小、效率更高、性能更加优化等特点，可用于众多新应用，如笔记本电脑、台式机、服务器、高频应用等。 飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点有接近于零的封装电阻和主板连接低热阻，以增强功率功能。MOSFET还具有低封装电感，从而提高了开关速度，使飞利浦LFPAK
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功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak)，绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装，采用IR先进的薄硅片工艺制造。新工艺可增强电及热性能，有助降低传导损耗，却不增加开关损耗。全新IGBT是IR专为电机控制而设计的iMOTION集成设计平台系列的一部分。新器件的工作结温高达175°C，标准工作范围比同类产品高出20%。另外，它们
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日前，皇家飞利浦电子集团在创新性的低VCesa BISS晶体管产品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成员，从而成为全球首个推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封装BISS晶体管的半导体厂商。PBSS4240V和PBSS5240V的集电极电流高达2A，具有一流的性能，并在功能增强的同时，相对其他较为著名的SOT23 封装1A器件还节省了41%的PCB空间。PBSS4240V和PBSS5240V还提供极低的集电极-发射极电阻（RCEsat = 190 mW），由于产生热量更少，还可提高整体电路
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凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相闪光灯电容充电器 LT3468。LT3468 是一个独立的解决方案，用于照相闪光灯电容充电，所需线路板面积最小，无需软件开发。LT3468 能迅速有效地给高压（一般为 320 V）照相闪光灯电容充电。这个器件既可用于数字相机，也可用于胶片相机，采用限流回扫拓扑结构。它可用 3.6V 电池在 4.6 秒内将一个 100uF 电容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值电流，与标准回扫变压器配合使用，能以高于 80% 的效率对任
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP（倒装引脚铸模封装）中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench
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环球仪器公司 (Universal Instruments) 表面贴装技术（SMT）实验室已和马里兰大学CALCE电子产品及系统中心（EPSC）达成合作协议，共同针对封装及装配的可靠性和制造能力进行研究。研究内容将着重于无铅制造的互连可靠性和技巧方面。环球仪器SMT实验室George Westby解释道：“我们希望能够充分利用这一领域现有的全部研究基金。通过将我们的知识与CALCE的研究工作相结合，特别是在模制和仿真技术领域，我们期望能以更低的总成本和更快的速度，为客户制定新的解决方案。”CALCE的Mi
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封装介绍
程序 封装 (encapsulation)
隐藏对象的属性和实现细节，仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.
封装 (encapsulation)
封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合，形成一个有机的整体，也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合，形成“类”，其中数据和函数都是类的成员。
封装的目的是增强安全性和简化编程，使用者不必了解具体的 [
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