- IT之家 5 月 24 日消息，台积电高管黄远国昨日在 2024 年台积电技术论坛新竹场表示，该企业将在今年新建七座工厂，而今年的 3nm 产能将达到去年的四倍。具体而言，台积电 2024 年将在全球建设 5 座晶圆厂和 2 座先进封装厂。台积电位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圆厂均面向 2nm 制程，目前都处于设备进驻阶段，预计 2025 年陆续进入量产。IT之家早前报道中也提到，台积电已确认其欧洲子公司 ESMC 位于德国德累斯顿的首座晶圆厂将于今年四季度动工，预估 202
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- 5 月 23 日消息，据路透社报道，欧盟委员会数字部门官员托马斯・斯科达斯（Thomas Skordas）近日表示，《欧洲芯片法案》有望到 2030 年吸引 1000 亿欧元（IT之家备注：当前约 7850 亿元人民币）规模的私人投资。《欧洲芯片法案》法案于去年通过，目标到 2030 年将欧盟区域芯片产量在全世界的占比翻倍，达到 20%。《欧洲芯片法案》承诺将为此调动 430 亿欧元（当前约 3375.5 亿元人民币）的补贴资金。欧盟成员国为企业提供的相关补贴都将交由欧盟委员会正式批准，但目前已通过审核全
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- 台积电2纳米的表现受外界高度关注，传出苹果营运长威廉斯（Jeff Williams）低调访问中国台湾，拜访台积电总裁魏哲家，双方深入讨论合作关系，甚至进一步确保台积电首批2纳米产能。综合外媒Wccftech及媒体报导，苹果是台积电大客户，第一批3纳米产能就是由苹果包办，用在iPhone 15 Pro及iPhone 15 Pro Max的A17 Pro处理器芯片上，更是全球首款使用3纳米制程的芯片。先前早已有消息传出，苹果将包办台积电2纳米的首批产能，近期又传出威廉斯亲访台积电，更让业界确定双方将深入讨论后
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- 全球半导体大厂韩国三星即将在今年上半年量产的第2代3nm制程，不过据韩媒指出，三星3nm制程目前良率仅有20%，相较于台积电N3B制程良率接近55%，还不及台积电良率的4成，使得三星在争夺英伟达（NVIDIA）代工订单受挫。外媒分析称，三星恐怕要在先进制程上多加努力，才有可能与台积电竞争，留住大客户的订单。据《芯智讯》引述韩媒的报导说，本月初EDA大厂新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯
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- 5月21日，晶圆代工大厂联电宣布在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批机台设备进厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。联电表示，联电新加坡投入12英寸晶圆制造厂营运超过20年，新加坡Fab12i P3厂也是联电先进特殊制程研发中心。2022年2月份，联电宣布在新加坡Fab12i厂区扩建一座新先进晶圆厂的计划。新厂第一期月产能规划30,000片晶圆，2024年底开始量产。联电当时指出，新加坡Fab12i P3是新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一，提供22/28nm制程，总投资金额为50亿
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- 台积电年度技术论坛的欧洲场，向客户展示N4e新型低功耗节点，并未出现过蓝图。 台积电表示，几年内将把特殊制程晶圆厂产能提高50%。Anandtech报道，台积电计划「四至五年」内，将特殊制程晶圆厂产能大幅提高50%，修改晶圆厂空间，建造Greenfield新晶圆厂。 台积电将兴建低功耗4纳米节点，称为N4e，台积电官方蓝图将N4e加入N4P和N4X行列。尚不清楚 N4e 工艺可能有哪些客户或应用使用，但可能专门给物联网和其他需要消耗电力的设备。 通常应用都采成熟制程，因相对廉价设备用先进制程成本太高。 台
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台积电 先进制程
- IT之家 5 月 17 日消息，台积电近日举办技术研讨会，表示其 3nm 工艺节点已步入正轨，N3P 节点将于 2024 年下半年投入量产。N3P 基于 N3E 工艺节点，进一步提高能效和晶体管密度。台积电表示 N3E 节点良率进一步提高，已经媲美成熟的 5nm 工艺。IT之家查询相关报道，台积电高管表示 N3P 工艺目前已经完成质量验证，其良品率可以接近于 N3E。作为一种光学微缩工艺，N3P 在 IP 模块、设计规则、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此台积电表示整个过渡过程非常顺利。N
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台积电 3nm N3P
- 存储器大厂美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达送样八层垂直堆叠24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通过英伟达验证，并获订单，三星HBM3E却未通过验证。外媒报导，三星至今未通过英伟达验证，是卡在台积电。身为英伟达数据中心GPU制造和封装厂，台积电也是英伟达验证重要参与者，传闻采合作伙伴SK海力士HBM3E验证标准，而三星制程与SK海力士有差异，SK海力士采MR-RUF，三星则是TC-NCF，对参数多少有影响。三星2024年第一季财报表示，八层垂直堆叠
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- 据央视新闻报道，当地时间5月15日下午，台积电位于美国亚利桑那州北凤凰城的厂区发生爆炸，造成至少1人重伤。台积电对此事发布声明称，证实其美国亚利桑那州工厂建筑工地发生一起事故。此次爆炸原因为进场的外包硫酸清运槽车异常，清运司机查看时发生意外，爆炸致该名男子受重伤，被送往当地医院。台积电表示，工厂设施没有受损，台积电的员工和现场建筑工人未报告受伤，此事件不影响营运或工程进行。目前，现场详细情况仍待进一步确认。但据当地建筑工会5月15日晚间发布的最新声明，该名司机已经死亡。此前消息，美国拟向台积电提供66亿美
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- 在 HBM4 内存带来的几大变化中，最直接的变化之一就是内存接口的宽度。随着第四代内存标准从已经很宽的 1024 位接口升级到超宽的 2048 位接口，HBM4 内存堆栈将不会像以前一样正常工作；芯片制造商需要采用比现在更先进的封装方法，以适应更宽的内存。作为
2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4
制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4
制造工艺中占据有
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台积电 12nm 5nm 工艺 HBM4 基础芯片
- IT之家 5 月 16 日消息，当地时间 5 月 15 日下午 2 时 45 分，台积电位于亚利桑那州凤凰城的工厂传出爆炸，造成至少一人重伤，详细状况仍待进一步确认。台积电方面对此发布声明，确认其美国亚利桑那州工厂建筑工地发生一起事故。一名废品处理卡车司机被送往当地医院。台积电称，工厂设施没有受损，台积电的员工和现场建筑工人未报告受伤。美国广播公司报道称，凤凰城消防部门当天下午 2 时 45 分接到报警后，紧急出动格伦代尔（Glendale）和雏菊山（Daisy Mountain）消防部队前往工
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- 据媒体报道，当地时间周二，台积电高级副总裁张晓强（Kevin Zhang）在阿姆斯特丹举行的一个技术研讨会表示，ASML的最新高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）价格过高，并直言：“我喜欢这项技术，但我不喜欢它的标价。”据了解，这款新光刻机的线宽仅为8nm，精细度是前一代的1.7倍。但每台机器的成本高达3.5亿欧元（约合3.78亿美元），重量相当于两架空客A320，而ASML的常规EUV设备的成本为2亿欧元。报道称，新款光刻机预计将帮助芯片设计缩小三分之二，但芯片制造商必须权衡技术优势与更高的
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- 5月10日，晶圆代工大厂台积电公布4月业绩。根据数据，2024年4月台积电实现营收2360.2亿元新台币（约526亿元人民币），同比增长59.6%，环比增长20.9%；2024年1-4月实现营收86.65亿元新台币（约1846亿元人民币），同比增长26.2%。此前，台积电公布2024年第一季度合并营收约5926.4亿元新台币，同比增长16.5%，创一年多以来最快增速；净利润约2254.9亿元新台币，同比增长8.9%。台积电此前在法说会上表示，除AI以外的下游需求不及预期，下调2024年全年不含存储器在内的
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- 近日，晶圆代工大厂台积电和英特尔建厂计划相继传来新的消息：英特尔就爱尔兰工厂与阿波罗进行谈判，或达成110亿美元融资协议；日本全力争取台积电设立第3座晶圆厂。日本熊本力邀台积电建晶圆三厂 据彭博社报道，于今年4月上任的日本熊本县新任知事木村敬表示，将全力争取台积电在当地建设第三座晶圆厂，并提议今年夏天到台积电总部拜会，商讨相关事宜，致力将熊本打造为半导体聚落。木村敬表示，“我们准备全力支持”，同时希望将熊本县打造成半导体产业聚落。“我们希望熊本成为人工智能、数据中心和自动驾驶等源于半导体的无数产
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- 地缘政治升温，半导体产业成为全球兵家必争的策略性产业，美国3年内共吸引3256亿美元以上的半导体投资，以压倒性的优势领先，但美国顾问公司麦肯锡（McKinsey）最新报告示警，美国超过一半的半导体和电子业员工透露想要离职，美国芯片行业正面临人力不足的挑战。麦肯锡报告指出，2023年美国超过一半的半导体和电子业员工，有意在3~6个月内离职，回顾2021年的相同调查，当时有4成员工想要离职，显示有意离职员工的比例持续增加。报导指出，人力短缺对于芯片制造商台积电和英特尔来说，是个不祥之兆，目前台积电和英特尔都在
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台积电.晶圆代工介绍
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