首页 > 新闻中心 > 网络与存储 > 数字存储
日前，长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）与美国半导体公司Rambus Inc.（以下简称“蓝铂世”）签署专利许可协议。依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储（以下简称“DRAM”）技术专利的实施许......
Marvell 近日宣布其QLogic® 光纤通道卡和FastLinQ® 以太网卡解决方案支持在VMware vSphere 7.0中启用NVMe™ over Fabrics（NVMe-oF™）技术。随着数据存储需求持续......
近期，全球嵌入式计算领域供应厂商研华科技宣布 SQRAM 产品线新增3200/2933 DDR4 内存模块。随着 SQRAM 开始采用先进 DRAM 技术，SQRAM DDR4 3200 系列也成为嵌入式市场研华首款在宽......
近日，在“中央指导组物资保障组推动湖北省工业品产销对接会”上，国科微与长江存储举办“云签约”仪式，批量采购长江存储64层闪存颗粒，全年采购金额预计突破亿元。这是继今年1月7日签署战略合作备忘录以来，双方在产业链合作领域取......
随着电子设备对硬件尺寸及空间愈加严苛的要求，存储小型化的需求愈加强烈，存储卡也不例外，正朝着小尺寸、大容量、高性能不断迈进。......
IDC近日发布的《中国软件定义存储(SDS)及超融合存储(超融合系统)系统市场季度跟踪报告，2019年第四季度》报告显示，软件定义存储（SDS）在2019年较去年同期实现46.8%增长；超融合存储系统（HCI）实现33.......
作为经过硅验证的创新型 片上网络 (NoC) 总线互连 IP 产品的领先供应商，Arteris IP 公司近日宣布 NETINT Technologies 公司再次获得 Arteris Fl......
新闻要点● 美光率先在业界推出面向数据中心的四层单元 (QLC) NAND 技术；● 基于 QLC 技术的美光5210 SATA SSD 正在引领数据中心从 HDD 过渡到 QLC SSD，凭借其全新容量和创新的......
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要......
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司计划投入 3500 万美元，为受新型冠状病毒（COVID-19）影响的各种人员提供经济援助。美光将从美光基金......
43.2%在阅读
23.2%在互动
Marvell 2020-04-27
IDC 2020-04-20
泛林集团半导体工艺及整合高级工程师,Tae Yeon Oh 2020-04-02
