芯片业猛刮中国风 百亿能否砸晕美光

　　国家战略与意志 存储芯片不容有失

　　为了推动自主存储芯片的发展，我国以国家战略和意志建设半导体产业链，设立国家集成电路产业投资基金，一期投入人民币1200亿元，初期规划5年，共计6000亿元规模资金。重点扶植项目包括DRAM(内存芯片)、3D NAND Flash(3D NAND闪存)、NOR Flash(NOR闪存)。

　　现状：处于"萌芽"的发展初级阶段

　　我国存储芯片的技术水平

　　我国目前仅能批量生产55nm级别的NOR Flash(NOR闪存)，用于主板BIOS芯片等小容量、写入慢的逻辑芯片。3D NAND闪存也仅在实验室状态下，完成9层结构的存储芯片的存储器功能的电学验证。DRAM则干脆处于技术储备、规划当中，短期内无量产可能。

　　关键：合作伙伴、技术团队、矽知识产权

　　封装成型的美光闪存

　　如果靠我国纯正血统的技术、团队在几年时间追赶国外领先的存储芯片水平，其难度远高于我国的大飞机项目，且不论容量大小，不允许有任何失误。因此我们找到①技术的合作伙伴、②有经验的优秀团队以及③矽知识产权，将是加速我国存储芯片量产的三大关键因素。

　　捷径：整体收购国外存储芯片厂商

　　韩系海力士是我国潜在的收购/合作对象

　　上叙加速自主国产存储芯片量产的三大关键因素碎片化，如果能够整体收购国外存储芯片厂商，可加速实现进程。其中海力士、美光均具备DRAM、NAND Flash的先进核心技术。我国企业收购美光存有一线希望;海力士的市占率更高，收购难度要大，仅存有理论上的收购可能。

　　观点：存储芯片自主国产化是根本，收购国外存储芯片厂家则是拓展加速，双管齐下的目的是为了加速存储芯片的自主生产进程。收购国外存储芯片厂商可谓山穷水复疑无路，柳暗花明又一村，我们遇到什么阻碍，当中有什么转机?

　　美光独苗一颗 事关国家安全恐难成

　　技术和市场相辅相成，以2Gb颗粒来换算，2014年我国市场在DRAM(内存芯片)与NAND Flash(闪存芯片)的消化量分别占全球产能19.2%与20.6%，其中我国的NAND Flash消化量有望在2015年突破30%。庞大的市场份额给了我国企业操作海外收购、技术合作的巨大空间，已小有成就。

　　▇我国近期收购美国半导体企业有先例

　　清华紫光近年海外收购频频

　　存储芯片市场即是技术的竞争，更是市场的竞争。①在与国际技术大厂合作上，武汉新芯在今年年初与Spansion合作，展开3D NAND闪存的技术开发。②收购美国半导体企业：武岳峰资本收购美国DRAM(内存芯片)厂商ISSI。

　　■美国仅剩美光独苗 事关国家安全恐难成

　　清华紫光能否收购美光 还得有"贵人相助"

　　基于闪存的SSD愈发凸显取代机械硬盘的趋势，闪存更是在移动设备独霸天下。内存芯片则是PC和移动设备必需。美国在闪存和内存芯片仅剩美光这颗独苗，失去美光意味着以后美国沦落到看他人脸色。事关美国国家安全，美国相关机构批准的可能性极低。