GF接掌IBM半导体　晶圆制造竞局添变数

　　结合IBM半导体专利　格罗方德战力大增

　　IBM半导体技术部门收归格罗方德后，由于格罗方德在晶圆代工领域占有重要的地位，目前市占已为全球第二，再加上IBM产能，未来是否能够改变全球晶圆代工的版图，值得讨论及观察。2013年晶圆代工排名如表3所示，第一名为台积电，市占46.3%，格罗方德再加上IBM，市占则为11.1%，合并之后不论在市占、营收等方面依旧难以撼动台积电。但笔者相信，格罗方德愿意与IBM结合，所觊觎的绝不是IBM IC制造的产能，或是对自家公司市占的提升，而是IBM的专利与研发能力。

　　以目前立体鳍式电晶体(3D-FinFET)研发为例，即可窥探出IBM的研发能量。为解决过去平面式电晶体漏电流的问题，发展出立体式的电晶体结构，FinFET(英特尔(Intel)称之为Tri-Gate)。目前全球在FinFET设计与制程技术开发的竞争中，英特尔仍为领导厂商，而至今可与英特尔一较高下的，非IBM莫属。

　　IBM与英特尔制程技术上最大的差异，则是使用绝缘层覆矽(Silicon On Insulator, SOI)基板，虽然SOI基板较英特尔所使用的块状基板(Bulk Substrate)成本高出许多，但SOI可大幅减少制程步骤，以及降低操作电压达到低功耗晶片的制作效益。 由此可知，IBM所具有的研发能力不可小觑，关于英特尔与IBM的FinFET电晶体剖面图比较如图2所示，目前两种不同的基板各有优缺点，谁可胜出，仍需要时间以及市场上的验证。

　　图2　IBM的SOI基板(左)与英特尔的14奈米(右) FinFET切面图比较

　　另外值得一提的是格罗方德藉由这一桩合并案，将具有优先使用IBM与位于美国纽约州Albany奈米科学暨工程学院(Colleges of Nanoscale Science and Engineering, CNSE)共同研发专案结果的权利，其中令人瞩目的是IBM将与CNSE共同开发的下世代微影技术。

　　那么在两家不同企业技术整合方面，目前格罗方德14奈米FinFET制程技术的主要来源为三星电子(Samsung Electronics)，未来IBM与格罗方德在FinFET技术的发展方向应该会朝向于支援与整合三星电子的技术，一加一是否大于二?仍有待后续观察。

　　但一切事情真会如此的顺利?格罗方德可同时取得众多且强有力的专利权，再加上产能的挹注，却无任何的阻碍或是门槛吗?想当然耳，事实绝不会如此的顺利。不同公司合并，最大的鸿沟为企业文化差异如何融合。

　　过去历史上，许多重大合并案的失败原因，皆是来自于企业文化上协调不顺利，导致无法发挥两者结合的最大综效，因此这次格罗方德是否可以顺利融合IBM的技术与人才，相信将会是接下来发展的最大考验。

　　文化融合问题待解　新半导体巨人犹未可知

　　IBM曾为半导体科技发展的一方霸主，虽然目前仍有许多研发成果与技术引领全球，但由于半导体产业发展需具有规模经济且不断投资先进制程、产能的特性，IBM半导体事业群在此方面落后于其他竞争厂商许多，并于2013年时亏损扩大至7亿美元，故IBM急欲脱手半导体事业群。

　　此消息一传出，各大半导体厂商如台积电、格罗方德等厂商跃跃欲试，心中盘算着接收IBM众多先进技术与专利的同时，亦必须接收亏损不小的生产工厂，这样的条件对自家企业未来发展是否有利?最后则由IBM附带15亿美元的条件，将半导体事业群与微电子业务交付予格罗方德，达成初步协议(因未来合并仍需美国与各国主管机关的同意)。

　　未来IBM将会以科技、商业与软体服务等为公司主要业务，加速脱离硬体的制造生产。技术发展方面，则以新技术与新材料为发展方向，相信未来在科技研发的道路上仍旧可以看到IBM的影子。

　　格罗方德与IBM的合并未来对台湾晶圆代工产业是否会造成影响，最大的观察重点应该是在这两家企业文化的融合是否顺利。过去失败的企业合并个案，大部分显示出企业文化上的协调与融合不顺利。台湾必须持续关注未来发展并及早作出因应措施。

　　一颗巨星的殒落，或许代表着新星的兴起，未来IBM在没有硬体制造的包袱之下，是否可全心致力于技术、材料等创新，再一次引领半导体技术的发展，就让我们拭目以待。