2014年度日本前三大半导体厂营益率可望升至近7年高点

　　观察日本前三大半导体厂2014会计年度(2014年4月至2015年3月，以下简称年度)营收预测，东芝(Toshiba)可望与2013年度持平在近1.2兆日圆(约120亿美元)水准，瑞萨电子(RenesasElectronics)恐较2013年度衰退31.6%，为7,484亿日圆，Sony营收则将自2013年度4,700亿日圆成长至2014年度的5,700亿日圆。

　　DIGITIMESResearch观察，尽管2014年度日本前三大半导体厂营收并非全数较2013年度成长，然此3家业者营益率皆可望上扬至2008年度以来相对高点，此固然与其主力产品NANDFlash、微控制器(MicroControllerUnit;MCU)及CMOS影像感测IC(CMOSImageSensor;CIS)需求增加有关，然2014年初以来日圆平均汇率下滑至1美元兑100日圆以上，亦有利日厂提升获利能力。

　　在企业动向方面，东芝原先预定于2014年夏天完工的日本四日市工厂第5栋Phase2量产垂直堆叠架构BiCSNANDFlash，然正式量产时间将延后至2016年初，改为优先采用15奈米制程生产NANDFlash，至2015年底为止，东芝将持续提升15奈米制程占NANDFlash生产比重。

　　2014年度瑞萨电子已着手将其日本设计研发据点自原先11处缩减至4处，为因应人力需求减少，瑞萨电子计划2014年12月实施今年以来第3次优退制度，以持续加强控管成本，朝2016年度营益率达10%以上目标迈进。

　　另外，Sony原先规划其2014年度半导体事业资本支出将与2013年度持平在670亿日圆，然已上修至800亿日圆，其中500亿日圆用于扩充CIS产能，可看出手机带动CIS需求增加。