三星率先交付全球首款商用HBM4，速率从11.7 Gbps提升至13 Gbps

就在美光（Micron）刚刚驳斥“HBM4被搁置”的传闻后，另一家存储巨头三星（Samsung）随即宣布已启动HBM4的量产，并开始出货首批商用产品，在这一关键市场中取得先发优势。根据其新闻稿，三星利用先进的第六代10纳米级（1c）DRAM工艺和4纳米逻辑芯片制程，从一开始就实现了高良率与峰值性能，无需任何重新设计。

值得注意的是，三星强调其HBM4可稳定提供11.7 Gbps的数据传输速率，比目前行业主流的8 Gbps标准快约46%。这也比上一代HBM3E（最高9.6 Gbps）提升了1.22倍。此外，公司表示，HBM4的性能还可进一步提升至13 Gbps。

与此同时，单个堆栈的总内存带宽也较HBM3E激增2.7倍，最高可达3.3 TB/s，进一步巩固了HBM4在高性能计算（HPC）领域的领先地位。

目前，三星已推出12层堆叠的HBM4产品，容量覆盖24GB至36GB。展望未来，16层堆叠版本将把容量上限扩展至48GB，确保其产品路线图与客户需求及开发节奏保持同步。

更详细的规格也已披露：据三星新闻稿，得益于低电压TSV（硅通孔）技术和优化的电源分配网络，HBM4的能效提升40%；同时，其热阻降低10%，散热性能较HBM3E提升30%。

HBM4E样品将于2026年下半年推出，定制版HBM紧随其后

ZDNet指出，依托这一势头，三星电子预计2026年HBM销售额将较2025年增长两倍以上，并正积极扩大HBM4产能。

在成功推出HBM4之后，三星表示，HBM4E的样品计划于2026年下半年提供给客户；而定制化HBM（Custom HBM）样品则将于2027年交付，以满足客户的特定规格需求。

另一方面，据Tom’s Hardware报道，三星的竞争对手SK海力士（SK hynix）早在2026年1月初的CES 2026展会上就展示了业内首款16-Hi堆叠HBM4内存封装。该公司强调，其MR-MUF molding（多层树脂模塑）技术与HBM4标准支持的2048位接口共同实现了更高密度。据报道，SK海力士称其HBM4堆栈运行速率达10 GT/s，比JEDEC制定的标准快25%。