台积电拟限制出口最先进工艺技术

据中国台湾《经济日报》报道，中国台湾计划加强对先进制程技术出口以及对外半导体投资的管控，相关新规预计将对台积电等企业产生重大影响。

此次修订的规则基于修订后的《产业创新法》第 22 条，预计将于 2025 年底生效，不过经济部表示，该法的实施日期将在各子法规修订后（六个月内）公布，这意味着最早可能在 2025 年底开始实施。

新的法律措施将强制执行「N - 1」技术限制，实质上禁止台积电出口其最新生产节点，并对违规行为处以罚款。行政院长赵荣泰确认的「N - 1」政策将适用于台积电在美国的计划生产，该政策限制了最先进工艺技术的出口，仅允许将比其早一代的技术部署到国外。

此前，中国台湾法规并未明确要求对半导体制造工艺进行此类管控。此次修订还引入了此前未曾出现的处罚措施：未经事先批准在海外投资的公司可能面临 5 万至 100 万新台币（约合 30,830 美元）的罚款；如果投资已获批准，但公司随后未能纠正已发现的违规行为（例如危害国家安全或损害经济发展），当局可处以 50 万至 1000 万新台币（约合 15,414 美元）的重复罚款。不过，鉴于台积电计划在其美国工厂投资 1650 亿美元，30 万美元的罚款几乎不会影响公司的盈利。

此外，经中国台湾「立法机构」三读通过的修订法赋予中国台湾当局拒绝或取消海外投资的权力。如果这些投资被发现危害中国台湾安全、损害中国台湾经济发展、违反条约义务或导致未解决的重大劳资纠纷，根据新法律，这六个条件得以保留，但现在得到了更高级别的立法支持。修订后的第 22 条还包括部分或全部拒绝投资或在批准时附加条件的可能性。如果公司获得批准但后来触发任何这些风险，中央主管部门有权要求采取纠正措施，如果问题严重，则完全撤销该投资。新法律将现有的投资限制从子法规上升为正式立法，并增加了不遵守规定的法律后果。

台积电最先进的制程技术存在相关情况。目前，台积电拥有一个尖端节点：N3P 制造技术。但到今年年底，它将开始采用 N2 制程生产芯片，而 N2 制程将成为其旗舰技术。然而，从 2026 年底开始，台积电预计将拥有两个旗舰节点：面向不需要高级供电的客户端应用的 N2P，以及面向高功耗 HPC 应用、采用 Super Power Rail 背面供电技术的 A16。

目前尚不清楚哪种制程技术会被中国台湾视为「旗舰」技术，从而受到出口限制；或者，当台积电推出 N2P 和 A16 的后续产品——A14 和 A16P 节点时，政府是否会在一年内禁止这两个节点的出口。

该法规的推出正值地缘政治风险不断上升之际，此前台积电宣布计划将其在美国产能的投资从四年内的 650 亿美元增加到 1650 亿美元（具体时间未披露）。

早在去年，中国台湾省经济部长郭智辉就曾在台北举行的立法机构经济委员会会议上公开表示，中国台湾的科技保护规则使得台积电目前无法在海外生产 2nm 芯片，因此该公司必须将其最前沿的技术留在中国台湾。

台积电目前正在积极推进 N2（2nm）制程的制造，纳米片器件性能接近目标，256Mb SRAM 的平均良率>90%，目前已经收到了多个 TO，有望于今年下半年量产。此外，台积电还在研发 N2P 和 N2X 制程。

与 N3E 相比，N2P 在相同功耗下，性能可提升 18%，在相同性能下，功耗可降低 36%，密度将提高 1.2 倍。台积电预计，N2P 有望在 2026 年下半年投入生产。而 N2X 则将在 2027 年量产。

近日，台积电还披露了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，并承诺该技术将在性能、功耗和晶体管密度方面，相较于其 N2（2 纳米）工艺带来显著提升。

据悉，这一新节点将采用其第二代环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，并借助 NanoFlex Pro 技术提供更高的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入大规模生产阶段，但届时不具备背面供电功能。带有背面供电功能的 A14 版本计划于 2029 年推出。

台积电业务发展与全球销售高级副总裁兼副首席运营官张晓强（Kevin Zhang）表示：「A14 是我们的全节点下一代先进硅技术。如果从速度方面来看，（与 N2 相比）性能提升高达 15%，功耗降低 30%，逻辑密度是整体芯片密度的 1.23 倍，对于混合设计而言至少是 1.2 倍。所以，这是一项非常非常重要的技术。」