AM-OLED显示驱动芯片中内置SRAM的设计
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仲裁器首先接受来自显示控制模块的SRAM读操作请求，然后接收来自MCU的写请求。这时，mcu_wr有一个上升沿，D触发器将锁存输出高电平，并经反相器反向输送到与非门，与非门输出低电平，使disp_r置“0”，以打断显示读信号响应，直到仲裁器处理完sram_wr信号请求，再由时序产生电路反馈一个完成信号sram_done，并清零sram_wr的D触发电路。由于显示读的D触发器的输出信号disp保持高电平，使与非门的输出变高，disp_r重新置为“1”，同时重新处理打断的disp_rd信号。
第二种时序冲突是仲裁器先收到外部MCU的读请求信号，在还没有结束处理这个请求信号时，显示控制模块的并行读请求信号已送到仲裁器。这时请求信号disp_rd的一个上升沿使disp由低电平变为高电平，此时mcu_rd的D触发器输出保持为高电平，与非门不受disp信号的影响，一直输出高电平。由于显示读请求信号被延迟，直到处理完MCU读请求信号，清零信号开启，使mcu_rd的D触发器输出低电平，这时，与非门输出高电平，disp_r重新置为“1”，时序产生电路响应其请求。
3．2 时序产生电路
由仲裁器电路产生的总请求信号sram_access送到这里后，可用以产生SRAM时序控制信号。该模块采用单稳态时序电路结构来实现其功能，其难点主要是解决预充信号Prech和字线选择信号WL的产生问题。根据SRAM的存储结构可知，Prech只在读操作才对位线充电，写操作时不充电；由于字线选择信号WL在读操作和写操作时的脉宽不一样，故需要采用不同时延模块，并根据不同操作，通过传输门来选择输出WL信号。
4 仿真结果
对基于0．18μm标准CMOS工艺库设计的大小为320x240x18位的内置SRAM结构使用Hspice对其子模块(320x60x18位)进行仿真，所得到的读写总电流波形如图6所示。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/166194.htm
由图6可见，改进结构在写操作时没有大电流，而在读操作时会有部分尖峰电流，这主要是由于平衡预充位线抬高了位线初始电压，从而降低了预充PMOS管的导通电阻所致。
改进SRAM结构的动态功耗为4．6mW。若用传统SRAM结构，对于相同大小的电路，其仿真得到的动态功耗为5．96mW。因此，相比传统结构，改进型结构的动态功耗减小了22．8％。
5 结束语
本文对显示驱动芯片中内置SRAM电路进行了低功耗研究与设计。新方法采用位线划分和字线划分技术来设计SRAM整体结构，从而降低了寄生电容。事实上，结合低功耗位线技术对传统SRAM单元结构进行改进，写操作时停止对位线预充电，可以达到降低功耗目的。而引入仲裁算法可解决SRAM访问的时序问题。根据SRAM读写操作要求设计的时序产生电路的仿真结果显示，其动态功耗可以得到大幅降低。
目前，本电路已经应用在一款AM_OLED显示驱动芯片中，并已完成前期仿真。仿真结果可以达到预期指标要求，从而证明了该电路的可行
性。
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