解密16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节 作者： 时间：2012-05-28 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 图2：16Gbit闪存的多晶硅电容结构，图中显示了低位板接头。IMFT的4G、16Gbit NAND闪存图3：IMFT的16Gbit MLC闪存的金属层2和层3采用铜双镶嵌工艺，金属层1采用钨双镶嵌工艺 上一页 1 2 下一页
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