光源问题仍是EUV光刻技术中的难题

　　他表示：“除了EUV耗电量之外，最大的问题就是EUV光刻用光掩膜版的衬底制作技术，以及光源功率的问题。我个人认为这两个问题是很难搞定的。”

　　EUV光刻技术相比现有的193nm液浸式光刻+双重成像技术(以下简称193i+DP)的组合在刻制小尺寸图像时有许多优点，这些优势不仅仅存在于与193i+DP技术昂贵的成本的对比中。Wood在会上展示了两张分别使用193i+DP和EUV光刻机刻制的电路图像，并称EUV光刻机在系统的k1值仅0.74，NA数值孔径值为0.25的水平上，刻制出的图像要比k1值0.28，NA值1.35的193i+DP所刻制的图像质量高很多。

　　液浸式光刻系统的k1值极限约在0.25左右，超过这个限值，光阻胶的对比度参数便会急剧下降，因此“刻制10nm制程芯片(电路图像半节距尺寸为20nm)时，要想继续使用193i光刻(原文为ArF光刻，其实就是指193nm光刻)技术，其实现难度会非常之大。”

　　掩膜坯瑕疵问题仍需改进：

　　另外，要制作出无瑕疵的掩膜坯(mask blank：即尚未刻出图案的掩膜板)则是另外一个EUV光刻技术走向成熟需要解决的主要问题。“经过多年研究，业内制作光掩膜衬底的瑕疵水平已经达到每片24个瑕疵，这样的瑕疵控制水平对存储用芯片的制造来说已经可以满足要求，但是仍无法满足制作逻辑芯片的要求。”

　　并非一片漆黑：

　　当然EUV光刻技术也取得了许多成效。比如ASML公司便如期完成的既定的机台制造销售计划，而IMEC,三星，Intel这三家公司则被认为是ASML生产的NXE: 3100的最早一批用户。其中IMEC所安装的NXE: 3100机型采用的是Xtreme公司生产的DPP光源系统;而三星所安装的那台则使用的是Cymer公司的LPP光源系统。

　　Wood表示，这种光刻机的性能表现已经超过了人们的预期。EUV光刻机的光学路径上共设有11个反射源，每一个反射镜都必须尽可能地将照射到镜片上的光反射出去，镜片本身则要最小限度地吸收光能量。“对EUV光刻系统的镜片而言，反射率变动1%便是很高水平的变动了。”他同时赞扬了Zeiss, 尼康以及佳能等镜片制作公司在这方面的优异表现。

　　EUV技术的未来发展路径：

　　到2013年，6反射镜设计的EUV光刻系统的数值孔径NA可从现有的0.25水平增加到0.32(通过增大镜径等手段).再进一步发展下去，8反射镜设计，并采用中心遮拦(central obscuration)技术的EUV光刻系统的NA值则可达到0.7左右。

　　再进一步应用La/B4C材料制作反射镜涂层，还可以允许将EUV光刻系统的光波波长进一步减小到6.67nm。将高NA值与更短波长光波技术结合在一起，EUV光刻技术的应用可推进到10nm以上等级制程。