日本电子信息领域技术战略地图（一）半导体技术子领域
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2、（大项目）设计（SoC设计）
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中项目
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中项目细分（小项目）
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设计内容
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模块间通信技术
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多处理器技术
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可重复配置逻辑
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系统层次设计、核查
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高级建模技术
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¨ 系统建模
¨ 事务级建模
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合成、优化技术
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核查技术
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性能、成本估算技术
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鲁棒性系统技术
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硅芯片实现技术
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系统的复合化技术
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低耗电设计
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变异评价技术
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考虑制造性的设计（DFM、DFR、MASK）
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混合模拟数字技术
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IP Bus设计
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IP库的设计
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电路设计
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¨ 电路仿真技术
¨ 器件建模技术
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3、（大项目）制造技术
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中项目
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中项目细分（小项目）
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基础设备技术
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实时流程监控技术
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高精度仿真技术（装置内的复杂现象的模型）
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高精度仿真技术（流程破坏复杂现象的模型）
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有机物分析技术
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装置内现象测量技术
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工厂集成技术
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晶圆设备控制技术
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¨ 绿色工厂可视化技术
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4、（大项目）流程技术
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中项目
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中项目细分（小项目）
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晶体管的形成流程
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栅层叠形成技术
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源漏退火技术
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源漏浅接合形成技術
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源漏接触形成技術
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元件分离技术
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清洗技术
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新的清洗技术
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硅基板
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大尺寸晶圆制造技术
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流程仿真技术
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对应新流程的仿真
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5、（大项目）光刻技术
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中项目
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中项目细分（小项目）
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曝光设备技术
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主流生产技术
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¨ ArF浸入式曝光设备技术
¨ ArF浸入式曝光／间隔技术
¨ EUV曝光设备技术
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新技术
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¨ ML2（无光罩光刻）
¨ NIL（压印光刻）
¨ DSA（直接自我聚合）
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光罩技术
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缺陷检测设备技术
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缺陷修正技术
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数据处理技术（OPC、RET、MDP、MRC等）
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高效制备技术
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光阻流程技术
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材料技术（光阻、增透膜、收缩、光阻顶层涂敷）
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浸入式曝光技术
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双重图形（Pitch Splitting/Spacer）技术
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光刻集成技術
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资源模拟技术
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综合的最优化技术
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6、（大项目）SoC开发／制造工程的工程化
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中项目
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中项目细分（小项目）
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开发平台
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设计方法的结构化和标准化
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流程开发的结构化和标准化
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制造集成控制平台
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成本、引用、质量的建模
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综合性的判断功能
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分层控制信息
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工程控制技术（实现了单晶片的的分层传输控制技术）
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¨ 分层的传输技术
¨ 晶圆单元传输控制技术
¨ 单晶圆芯片的追踪技术
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设备控制技术
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¨ OEE设备建模/监控技术
¨ 设备、流程建模技术
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流程控制技术
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¨ 工艺建模技术
¨ 根据建模对分层设备、流程的的控制技术
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质量控制技术
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¨ 产量建模技术
¨ 产量监控技术
¨ 最佳检测技术
¨ DFM和APC的融合技术
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7、（大项目）评价、分析技术
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中项目
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中项目细分（小项目）
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测量技术
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微型化形状测量、性能评价技术
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¨ 模式测量技术（晶片）
¨ 叠加(overlay)误差测量技术
¨ 栅极形状测量（2D、3D）技术
¨ 薄膜厚度测量技术(绝缘膜、金属多层膜)
¨ 界面、表面评价技术
¨ 掺杂分布测量技术
¨ 工作职能评价技术
¨ 沟槽形状测量技术（2D、3D）
¨ 薄膜厚度测量技术（绝缘膜、Barrier/Seed膜、金属膜）
¨ 平坦度测量技术
¨ 孔径的测量、机械特性测量技术
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新材料评价技术
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¨ 物理上的特性评价技术
¨ 化学上的特性评价技术
¨ 机械上的特性评价技术
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产量提高技术
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缺陷监测、分析技术
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¨ 缺陷检测技术（电子束方式、光学方式）
¨ 缺陷审查技术
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物理解析技术
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¨ 检查数据链接、分析孔加工技术
¨ 截面观察、结构、元件分析技术
¨ 结构、界面解析技术
¨ 化学结合、元件分析技术
¨ 本地探测技术
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产量模型的高精确化
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¨ 随即缺陷产量模型
¨ 光刻造成的系统性缺陷产量模型
¨ 允许污染模型
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8、（大项目）配线技术
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中项目
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中项目细分（小项目）
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微型化技术
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多层配线技术
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¨ 铜沉积技术（电镀、PVD、CVD）
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绝缘膜技术
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¨ 固化技术
¨ 高机械强度技术
¨ 气隙技术
¨ 孔密封技术
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配线材料技术
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¨ 金属屏障技术（PVD、ALD、CVD）
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可靠性技术
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¨ 电转移（EM）改善技术
¨ 应力转移（SM）改善技术
¨ 配线可靠性（TDDB）改善技术
¨ 配线变异（LER、阻抗）降低技术
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配线建模技术
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¨ 配线建模技术
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新配线技术
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直通硅晶穿孔封装（TSV）
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¨ 用于晶圆片键合的薄型晶片
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新配线材料技术
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¨ 碳纳米管孔
¨ 碳配线技术
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通过光和RF信号传输技术
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¨ 硅纳米光子配线技术
¨ 芯片上RF信号传输技术
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印刷电路技术
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¨ 印刷电路技术
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9、（大项目）装配技术
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中项目
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中项目细分（小项目）
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装配流程
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单个芯片装配多插针化
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¨ 晶片级封装
¨ Low-k/Cu对应技术
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系统级封装
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¨ 同种芯片的三维芯片层
¨ 持有不同性能的半导体芯片的装配
¨ TSV方式连接技术
¨ 非接触式连接技术
¨ 光连接技术
¨ 晶圆堆叠技术
¨ 内置基板
¨ 不同设备、光、部品之间的组合
¨ 确好芯片（KGD）技术
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装配设计
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统合设计平台技术
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¨ 芯片／包／木板连携设计工具
¨ 电气／热／结构耦合分析技术
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10、（大项目）测试技术
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中项目
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中项目细分（小项目）
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离散傅里叶变换
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高级离散傅里叶变换（DFT）
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测试数据压缩
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内建修复分析（BIRA）、内建自修复（BISR）
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模拟数字混合
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测试、故障分析
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故障诊断
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对应于缺陷的测试
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考虑到噪声和功率的测试
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测试环境
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基于标准的测试环境
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（二）、非CMOS技术
1、（大项目）分立器件
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中项目
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中项目细分（小项目）
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功率器件
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硅功率器件
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带隙半导体功率器件
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2、（大项目）纳米电子器件
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中项目
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中项目细分（小项目）
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纳米CMOS的延长（自组织过程晶体管）
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薄片晶体管
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纳米线晶体管
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纳米晶体管
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Beyond CMOS
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共振管道器件
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有机分子器件
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单电子器件
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超导器件
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自旋晶体管
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强磁性逻辑器件
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强相关电子器件
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电路重构开关
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Beyond CMOS和Si CMOS的融合技术
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量子计算器件
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