镁光南亚合作开发出42nm制程2Gb DDR3内存芯片

　　镁光公司与其合作伙伴南亚公司最近公开展示了其合作开发的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，双方并宣称下一代30nm制程级别的同类产品已经在镁光设在Boise的研发中心开始研制。

　　两家厂商预计将于今年第二季度开始42nm 2Gb DDR3内存芯片的试样生产，并将于今年下半年开始量产这种产品。

　　两家厂商宣称其42nm制程DDR3内存芯片产品的工作电压仅1.35V左右，比前代产品的1.5V工作电压低了不少，可节省30%电能。

　　这款42nm 2Gb DDR3内存芯片产品的数据传输率最大可至1866Mbit/s，可用于组装成16GB总容量的DDR3内存条产品。