- 东芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美国夏威夷州檀香山)上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM的最小驱动电压上升。东芝此次证实，单元面积仅为0.24μm2的32Mbit SRAM的驱动电压可在确保95%以上成品率的情况下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驱动电压可从65n
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东芝 40nm SoC SRAM
- 赛普拉斯半导体公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM，开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安全系统和军事系统。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速异步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的访问时间可达12ns。器件采用符合RoHS标准的48
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Cypress SRAM
- 由于架构方面的需要，Intel处理器通常都配备有大容量缓存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二级缓存、双核心Itanium曾有24MB三级缓存。现在，Intel又准备继续提高缓存密度了，而且有意使用新的缓存类 型。2010年度超大规模集成电路技术研讨会即将于下月5-7日举行，Intel将会通过两个主题演讲，介绍他们在处理器缓存技术上的最新研究成果，特 别是有望取代现有SRAM的“浮体单元”(Floating Body Cell/FBC)。
SRAM和eSRAM
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Intel SRAM
- Maxim推出带有1024字节无痕迹存储器的安全管理器DS3644，可安全存储敏感数据。器件内部的篡改监测器能够有效抵御时钟、电信号和温度篡改事件，还可将篡改检测输入连接至外部传感器，实现灵活的定制特性。片内无痕迹存储器允许终端用户在发生特定篡改事件时有选择地清除存储器数据。这种具有专利保护的存储器架构*能够确保在发生篡改事件时立即擦除数据，从而提高了基于SRAM存储器的系统安全等级。DS3644能够满足政府设施、军事系统等高安全等级应用的要求，适用于需要监测多种篡改操作的系统。
DS3644能
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Maxim 存储器 SRAM DS3644
- 为数字消费、家庭网络、无线、通信和商业应用提供业界标准处理器架构与内核的领导厂商美普思科技公司和备受半导体业界信赖的IP伙伴Virage Logic 共同宣布，双方将结成合作伙伴关系为两家公司的共同客户提供优化嵌入式内存IP。Virage 的Logic ASAP 90nm SRAM内存实体(memory instance)以及 SiWareTM 65GP高密度SRAM编译器(SRAM compiler) 系列产品专为MIPS32处理器而优化，以协助客户加速为蓝光DVD、HDTV、IPTV、机顶盒和宽带
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MIPS SRAM 嵌入式内存
- SRAM行业的领导者赛普拉斯，与领先的核心数据传输及交换功能IC的供应商TPACK日前联合宣布，为超高速以太网交换和排队管理应用推出一款参考设计。全新的Springbank参考设计结合了TPACK的 TPX4004高容量集成包处理器和流量管理器，以及赛普拉斯的CY7C15632KV18 72-Mbit Quad Data Rate™II+ (QDR™II+)SRAM，从而能提供最快的速度，并且未来升级非常简单。TPACK参考设计还提供对各类FPGA的便捷接口，拥有强大的应用支持
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Cypress SRAM 65nm
- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
- 台湾科研机构今天宣布,开发出全球第一个16纳米的SRAM新组件,由于可容纳晶体管是现行45纳米的10倍,这可使未来电子设备更轻薄.
台“国研院”成功开发出16纳米SRAM新组件,主要是创新3项关键技术,包括“纳米喷印成像技术”、“320度低温微波活化”及“N型锗组件研究”;由于相较传统微影光学成像技术,不需使用到光阻及光罩,预估也可省下每套新台币2亿元的光罩费用.
该研究机构上午举行&ldquo
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16纳米 SRAM 45纳米
- 本文以MP3解码器为例，介绍了一种在嵌入式Linux系统下配置使用处理器片内SRAM的应用方案，有效提高了代码的解码效率，降低了执行功耗。该方案不论在性能还是成本上都得到了很大改善。
1 硬件平台和软件架构
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应用程序 优化 设计 SRAM 片内 Cold Fire Linux 音频
- SRAM行业的领先者赛普拉斯半导体公司日前推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM，该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存储器采用65纳米工艺技术，由台湾联华电子(UMC)的芯片工厂代工生产。该产品拥有市场上最快的时钟，速率可达550MHz，在36-bit I/O宽度的QDRII+器件中，整体数据率达到80 Gbps，并且其功耗只有采用90纳米工艺的SRAM器件的一半。这些产品是诸如互联网核心与边
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Cypress 65纳米 SRAM
- 传统型FPGA基本具备高性能、传输速度快的特点，因此这些产品都具有DSP(数字信号处理)和高速传输I/O接口。它们主要满足基站、工控、医疗等市场对高速产品的需求。SiliconBlue的产品定位与上述传统型FPGA不同。我们强调生产针对便携消费电子市场的低功耗产品。
传统的FPGA企业在低功耗市场上推出的都是密度非常小的器件，只能满足非常简单的逻辑应用，而且即使他们在这方面有系列产品，产品线相对来说仍然不很完整。而SiliconBlue看准这一市场，提供完整的产品线。
市场上一些新兴FPG
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FPGA DSP 65纳米 SRAM
- 台积电24日宣布率业界之先，不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率，而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的良率。
台积电研究发展副总经理孙元成博士表示：“所有三种28纳米系列工艺皆已由64Mb SRAM芯片完成良率验证，是一项傲人的成就。更值得一提的是，此项成果亦展现我们两项高介电层/金属闸(High-k Metal Gate)工艺采用gate-last
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台积电 28纳米 SRAM
- 美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点静态存储单元(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。
22纳米节点静态存储单元SRAM芯片是更复杂的设备，比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计，仅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。
新的研究工作是在纽
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IBM SRAM 22纳米 32纳米
- 瑞萨科技公司(以下简称“瑞萨”)宣布推出面向新一代通信网络内高端路由器和交换机使用的高速SRAM*1产品系列。这些SRAM产品不仅符合QDR联盟*2行业标准要求，还实现了72Mb四倍数据速率II+(QDRTM II+)和双数据速率II+(DDRII+)的业内最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整个器件系列(具有多种速度和配置)将于2009年8月在日本开始陆续进行销售。
新产品特性如下：
(1) 业内最高的工作速度：533 MHz(Q
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瑞萨 SRAM DDRII
- 台湾积体电路制造股份有限公司今(17)日宣布领先专业积体电路制造服务领域，成功开发28纳米低耗电技术，同时配合双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)工艺，将32纳米工艺所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28纳米工艺，使得半导体可以持续往先进工艺技术推进。此一工艺技术的优势还包括高密度与低Vcc_min六电晶体静态随机存取记忆体(SRAM)元件、低漏电电晶体、已通过验证的传统类比/射频/电子熔线(analog
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台积电 SRAM 28纳米 低耗电 氮氧化硅 多晶硅
sram介绍
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一 [
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