- 富士通半导体有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通过将SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS与富士通半导体的低功耗工艺技术集成，已经成功地展示了在0.425V超低电压下，SRAM(静态随机存储)模块可以正常运行。这些技术降低能耗，为即将出现的终极“生态”产品铺平道路。技术细节和结果将会在12月5日开始在华盛顿召开的2011年国际电子器件会议(IEDM)上发表。
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富士通 SuVolta SRAM
- 摘要：提出一种新型的6管SRAM单元结构，该结构采用读／写分开技术，从而很大程度上解决了噪声容限的问题，并且该结构在数据保持状态下，采用漏电流以及正反馈保持数据，从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正
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单元 设计 SRAM 功耗 可靠性 新型
- DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的 ...
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SRAM DS1747
- 2011年10月24日，北京讯，加州圣何塞讯——SRAM领域的业界领先者赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）日...
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SRAM 赛普拉斯 FPGA
- 据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会的《纳米快报》杂志上。
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FeTRAM SRAM
- 嵌入式MIPS32 M4K处理器内核SRAM接口应用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K内核内部不支持指令高速缓存(I-cache)或数据高速缓存(D-cache)的标准功能。本文重点讨论的一个内容--SRAM接口，这是MIPS32 M4K内核的一个标准功能。 M4K内核SRAM接口基本描述
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SRAM 接口 应用 内核 处理器 MIPS32 M4K 嵌入式
- 本文介绍了一种基于微控制器的PLD ICR控制电路，该控制电路结构简单、占用空间小、性价比较高，适用于需要ICR功能的电子装置中，该ICR控制电路是为配置ALTERR系列PLD器件来设计的，稍加屐也适用于XILINX公司的FPGA器件。这个配置电路的主要弱点在于配置速率较慢，只能适应用于配置速率要求不高的应用。
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SRAM PLD 可重配置 电路
- 赛普拉斯半导体公司日前宣布推出具有 32 位总线宽度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更长电池使用寿命)异步 SRAM。这些器件的推出进一步丰富了赛普拉斯业界领先的 SRAM 产品系列(包括高性能同步、异步和微功耗器件)。这些全新 MoBL SRAM 与 32 位 DSP、FPGA 和处理器配合使用可显著提升系统性能，从而充分满足电信、计算机、外设、消费类产品、医疗、军事等领域的应用需求。
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赛普拉斯 SRAM
- 赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）日前宣布推出具有 32 位总线宽度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更长电池使用寿命）异步 SRAM。这些器件的推出进一步丰富了赛普拉斯业界领先的 SRAM 产品系列（包括高性能同步、异步和微功耗器件）。这些全新 MoBL SRAM 与 32 位 DSP、FPGA 和处理器配合使用可显著提升系统性能，从而充分满足电信、计算机、外设、消费类产品、医疗、军事等领域的应用需求。
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赛普拉斯 SRAM
- Cortex―M3的SRAM单元故障软件的自检测研究,引言
目前，对于存储单元SRAM的研究都是基于硬件电路来完成，而且这些方法都是运用在生产过程中，但是生产过程并不能完全杜绝SRAM的硬件故障。在其使用过程中，如果SRAM硬件出错，将导致程序出错而且很难被发现
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软件 检测 研究 故障 单元 M3 SRAM Cortex
- 互联网的飞速发展极大地促进了高速数据通信系统的需求量增加，同时也促进了更快速的处理器的发展，推动了存储器...
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SRAM Spartan3
- QDR SRAM与Spartan3 FPGA的接口设计,为了满足当前系统和处理器的生产量需求，更新的静态存储器应运而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung为高性能的网络系统应用而共同开发的一种具有创新体系结构的同步静态存储器。 1 QDR SRAM的
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接口 设计 FPGA Spartan3 SRAM QDR
- 北京讯，包括赛普拉斯半导体公司(NASDAQ:CY)和瑞萨电子公司(TSE: 6723)在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹(MHz)的时钟频率允许。这些器件将与现有的QDR II+器件在管脚、尺寸和功能方面兼容，从而使网络交换机、路由器及聚合平台制造商不必修改电路板设计，只需提高系统内时钟速度即可大幅改善产品性能。
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QDR SRAM
- 摘要：详细描述了一种内置于AM-OLED显示驱动芯片中的单端口SRAM电路的设计方法，提出了一种解决SRAM访问时序冲突问题的仲裁算法。同时给出了基于0．18mu;m标准CMOS工艺设计的一款大小为320x240x18位的SRAM电路。通过
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SRAM 设计 内置 芯片 显示 驱动 AM-OLED
- 据消息来源透露，Intel公司近期可能会公开其22nm制程工艺的部分技术细节，据称Intel的22nm制程工艺的SRAM部分将采用FinFET垂 直型晶体管结构，而逻辑电路部分则仍采用传统的平面型晶体管结构。消息来源还称Intel“很快就会”对外公开展示一款基于这种22nm制程的处理器实 物。不过记者询问Intel发言人后得到的答复则是:"我们不会对流言或猜测进行评论。"
尽管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公开过其22nm制程SRA
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Intel 22nm SRAM
sram介绍
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一 [
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