- 分别基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E,介绍了采用两种不同的RAM结构,通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。
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SRAM DRAM FIFO 大容量
- 如今,电子技术发展迅猛,尤其是单片机已广泛地应用于通信、交通、家用电器、便携式智能仪表和机器人制作等领域,产品功能、精度和质量均有大幅度提高,且电路简单,故障率低,可靠性高,价格低廉。在单片机的某些应用中,如果不对系统的外部SRAM进行扩展,就不能满足系统设计的要求。因此如何扩展、扩展什么类型的芯片、扩展的容量多大就成为值得考虑的问题。这个问题解决的好与坏直接关系到项目的成败。本文介绍在AVR ATmegal28中如何实现扩展掉电数据不丢失的512 KB SRAM的方案。
1 系统硬件结构
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ATmegal28 SRAM
- 基于SRAM结构的FPGA容量大,可重复操作,应用相当广泛;但其结构类似于SRAM,掉电后数据丢失,因此每次上电时都需重新加载。
目前实现加载的方法通常有两种:一种是用专用Cable通过JTAG口进行数据加载,另一种是外挂与该FPGA厂商配套的PROM芯片。前者需要在PC机上运行专用的加载软件,直接下载到FPGA片内,所以掉电数据仍然会丢失,只适用于FPGA调试阶段而不能应用于工业现场的数据加载。
后者虽然可以解决数据丢失问题,但这种专用芯片成本较高,供货周期也较长(一般大于2个月),使F
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SRAM TMS320C61416 FPGA
- 铁电存储器同时具备可存储大量资料的动态随机存储器DRAM)与高速运作的静态随机存储器(SRAM)的优点,且在断电后,资料不会消失,亦具备快闪存储器的优点。在所有非易失性存储器(NVM)中,铁电存储器件被认为是最有吸引力的用于IT的存储器件之一[1]。1T单元体积更小,集成度更高。特别是这种方式易于实现多值存储,在相同规模下可以达到更高的存储容量,因而在提高性价比方面具有极大的优势。
为了系统地从理论上研究铁电存储器IT单元特性,米勒首先提出了数学模型[2]。后人也有用实验数据、依据实验数据得到的
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存储器 SRAM NVM 存储器
- 针对嵌入式系统的低功耗要求,采用位线分割结构和存储阵列分块译码结构,完成了64 kb低功耗SRAM模块的设计。 与一般布局的存储器相比,采用这两种技术使存储器的功耗降低了43% ,而面积仅增加了18%。  
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DBL 嵌入式系统 SRAM 低功耗 嵌入式
- 如果你认为过去的归过去,未来的归未来,那么你就错了,因为没有过去就不会有现在,没有现在当然就不会有未来。然而过去、现在、未来之间是如何相互依存的呢?从某方面来说这是神秘难以解答的一件事,但简单来讲就是靠记忆的作用,过去虽然不存在了,却可以回想,未来虽然还没有决定,现在却可以一步步去计划、设想与实践
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NVM SRAM DRAM
- 本文针对 CPLD的核心可编程结构:P-Term和可编程互连线,采用2.5V、0.25μmCMOS工艺设计了功能相近的基于SRAM编程技术的可重构电路结构。
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SRAM PLD 编程技术 核心
- 摘要:首先对采用SRAM工艺的FPGA的保密性和加密方法进行原理分析,然后提出一种实用的采用单片机产生长伪随机码实现加密的方法,并详细介绍具体的电路和程序。
关键词:静态随机存储器(SRAM) 现场可编程门阵列(FPGA) 加密
在现代电子系统设计中,由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性,而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺,要求每次上电,对FPGA器件进行重配置,这就使得可以通过监视配置的位数据流,进行克隆
- 关键字:
静态随机存储器(SRAM) 现场可编程门阵列(FPGA) 加密 MCU和嵌入式微处理器
- 在现代电子系统设计中,由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性,而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺,要求每次上电,对FPGA器件进行重配置,这就使得可以通过监视配置的位数据流,进行克隆设计。因此,在关键、核心设备中,必须采用加密技术保护设计者的知识产权。 1 基于SRAM工艺FPGA的保密性问题 通常,采用SRAM工艺的
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嵌入式系统 单片机 SRAM FPGA 加密 嵌入式
- 2007年6月12日,瑞萨开发出一种可在32 nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术,以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)中的片上SRAM。
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瑞萨 SRAM Renesas
- 存储器在半导体行业就是一块万能膏药,或者嵌入到SoC里或者当做单独的存储元件,有数据计算和程序存储的要求就有它的用武之地。当前的主流半导体存储器可以简单的分成易失性和非易失性两部分,它们各有所长,应用领域也因这一特性而是泾渭分明。
易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM,SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据,但是RAM 类型的存储器易于使用、性能好。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于ROM(只读存储器)技术,包
- 关键字:
DRAM FeRAM RAM SRAM 存储器
- 瑞萨科技(Renesas Technology Corp.)与松下电器产业有限公司宣布,共同开发出一种新技术,可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM(静态随机存取存储器)稳定工作。这种SRAM可嵌入在SoC(系统(集成)芯片)器件和微处理器(MPU)当中。经测试证实,采用该技术的512Kb SRAM的实验芯片,可以在宽泛的温度条件下(-40℃-125℃)稳定工作,而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。用于实验的SRAM芯片采用45nm CMOS工艺生产,集成了两种不同的存储单元设计,一个元
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SRAM 瑞萨科技 松下 存储器
- 摘要: 本文介绍了针对高端存储应用的最新非易失性存储器NVSRAM。可以根据应用要求以及功能需要选择最佳的非易失性存储器架构。关键词: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM
概述众所周知,在非易失性存储器领域,市场热度节节攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成员—NVSRAM。NVSRAM 为 Non-volatile SRAM缩写,即为非易失性SRAM。本文将比较各类非易失性存储器,并介绍NVSRAM的特点和优势, NVSRAM 的应用以及工作方式。 非易失性存储器应用
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0701_A NVSRAM SRAM 消费电子 杂志_技术长廊 存储器 消费电子
- 在现代电子系统设计中,由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性,而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺,要求每次上电,对FPGA器件进行重配置,这就使得可以通过监视配置的位数据流,进行克隆设计。因此,在关键、核心设备中,必须采用加密技术保护设计者的知识产权。
1 基于SRAM工艺FPGA的保密性问题
通常,采用SRAM工艺的FPGA芯片的的配置方法主要有三种:由计算机通过下载电缆配置、用专用配置芯片(如Altera公司的EPCX系列芯片)配置、采用存储器
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FPGA SRAM 单片机 加密 嵌入式系统 存储器
- 引言同步SRAM的传统应用领域是搜索引擎,用于实现算法。在相当长的一段时间里,这都是SRAM在网络中发挥的主要作用。然而,随着新存储技术的出现,系统设计师为SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(网流)、计数器、统计、包缓冲、队列管理和存储分配器。 如今,人们对所有路由器和交换机的要求都不仅限于FIB(转发信息库)搜索。计数器需要跟踪接受服务的信息包数量,并获取统计数据来解决帐单编制问题。通过统计来连续监视网络(被称为NetFlow),从而完成问题检测和判定。随着每个信息包处理量的增加,需要采用包
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IPV6 SRAM 存储器 通讯 网络 无线 存储器
sram介绍
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一 [
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