在如今这工程师漫山遍野的年代，工程师已经变得随处可见、遍地都是，但我相信每个工程师心目中都有属于自己的“王牌”器件。如电脑的记忆芯片 - 存储器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可读写类、只可读类等等。同时存储器在我们日常生活中也随处可见，每人必备的U盘、硬盘、光盘等等，所以作为工程师的我们必须关注下这十款经典的存储器。下面就为大家带来工程师们心目中那永远的十款“王牌”存储器。
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一款非常
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存储器 SRAM DRAM
前不久，全球高性能、混合信号、可编程解决方案的领先供应商赛普拉斯(Cypress)签下中国本土最具实力的分销商世强(Sekorm)，由后者负责其全线产品包括PSoC®可编程片上系统器件、触摸感应解决方案、SRAM和非易失性存储器、USB控制器等等在中国区的分销业务。
赛普拉斯全球分销高级总监Kamal Haddad表示很高兴找到了值得信赖的分销伙伴一起开拓市场，中国市场对赛普拉斯非常重要，世强将在开拓新市场的同时，直接支持新的设计，扩展客户基础并建立持续的合作关系。
赛普拉斯198
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Cypress Sekorm PSoC SRAM
1 引言
FIFO(First In First Out)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取，而这种先进先出的结构特点很好地适应了这些要求，是传统RAM无法达到的。
许多系统都需要大容量FIFO作为缓存，但是由于成本和容量限制，常采用多个FIFO芯片级联扩展，这往往导致系统结构复杂，成本高。本文分别针对Hynix公司的两款SRAM和DRAM器件，介绍了使用CPLD进行接口连接和编程控制，来
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FIFO SRAM DRAM CPLD
赛普拉斯半导体公司日前宣布，已经与中国及韩国的五家新代理商达成协议。即日起，中国的大豆科技、世强和利尔达，韩国的HB公司和STC公司将加入赛普拉斯的销售队伍。这些分销合作伙伴将销售赛普拉斯的全线产品，包括PSoC®可编程片上系统器件、触摸感应解决方案、SRAM和非易失性存储器、USB控制器等等。 赛普拉斯全球分销高级总监Kamal Haddad说：“我们很高兴和这些值得信赖的合作伙伴一起拓展我们的分销渠道。中国和韩国市场对于赛普拉斯来说非常重要，这五个合作伙伴将协助我们将各类产品渗透到新增的65个分
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赛普拉斯 PSoC SRAM
静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码(ECC)的16Mb快速异步SRAM 已开始出样。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该器件可确保工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费电子和汽车等应用领域里的数据安全。
背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作，无需用户干预，因而具有业界最佳的软错误(S
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赛普拉斯 SRAM ECC
大多数可编程阵列使用易失性存储器SRAM作为配置数据存储元件。最近，有人尝试使用非易失性存储器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP应用的理想选择，其架构和许多增强功能可改善芯片集成度、IP使用率和测试时间。Robert Lipp等人提出了一种采用浅沟槽隔离(STI)工艺的高压三阱EEPROM检测方案。
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可编程 闪存 SRAM SST SCE
静态随机存取存储器市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，量产业界首款四倍速(QDR®-IV )SRAM。赛普拉斯的QDR-IV SRAM有144和72-Megabit (Mbit)两种容量，可满足下一代交换机和路由器的100-400 Gigabit线卡对随机传输速率的要求。赛普拉斯的QDR-IV SRAM是市场上性能最高的标准网络存储器解决方案。 对于不断提升的线卡和交换速率来说，RTR(每秒完整随机存取次数)是存储器性能的重要指标。提升线卡速率的瓶
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赛普拉斯 SRAM QDR-IV
静态随机存储器(static RAM)，简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 1、VDMS16M32芯片介绍 VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
东芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)今天宣布，该公司已经开发出适用于低功耗微控制器备用RAM的极低泄漏65纳米静态随机存储器(SRAM)，它可以实现从深度休眠模式快速唤醒。
东芝于2月11日在2014年美国电气和电子工程师协会(IEEE)国际固态电路会议上公布了这一进展，此次大会在加州旧金山举行。
可穿戴式设备、医疗保健工具和智能电表等低功耗系统对较长的电池放电时间存在强劲需求。降低这些系统所使用微控制器的功耗存在许多挑战，随着工艺的升级换代，泄漏电流的
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东芝 SRAM
现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array， FPGA)是基于SRAM的一种硬件电路可重配置电子逻辑器件，可通过将硬件描述语言编译生成的硬件配置比特流编程到FPGA中，而使其硬件逻辑发生改变。
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FPGA SRAM MIPS 存储器 BIST
2013年11月14日，富士通半导体(上海)有限公司宣布，推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封装并且与标准低功耗SRAM兼容，因此能够应用在工业控制、办公自动化设备、医疗设备以及其他设备中，取代原有具备高速数据写入功能的SRAM。
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富士通 SRAM FRAM
引言 CMMB(China Mobile Multimedia BroADCasting)即中国移动多媒体广播，是中国第一套具有自主知识产权 ...
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FIFO SRAM CPLD
启动汇编代码 ;********************************************************************* ; 汇编 ...
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Flash SRAM 触发中断
使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ，用户可以从Flash或者SRAM中运行 ...
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Flash SRAM 触发中断
sram介绍
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一 [
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