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VxWorks FLASH NAND 驱动
面临英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营的压力，东芝(Toshiba)下半年积极转进32纳米的NAND Flash制程技术，东芝原本预计32纳米制程产量，在年底可达产能30%，但以目前进度来看，势必会延后量产时间点，其控制芯片供应商群联则表示，支持东芝32纳米的所有产品线都已经准备妥当，包括随身碟和记忆卡的控制芯片皆然，随时可进入量产阶段。此外，群联8月营收将持续成长，估计月增率可达10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整体第3季获利持续上扬。
东芝43纳米制程量产成熟，下半年积极转进
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东芝 32纳米 NAND
根据配备各种存储器的电子终端等的产量，笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为，1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命，NAND型闪存将取而代之，一跃成为投资主角。
按8Gbit产品换算，NAND需求规模将达到400亿个
《日经市场调查》的调查结果显示，按8Gbit产品换算，2013年NAND型闪存的需求规模将达到约400亿个。这一规模相当于2008年的11倍左右。支持需求增长的产品是个人电脑用SSD(固态硬盘)。不过，SSD市场要到2
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三星 DRAM NAND
在今后的2年～3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度。具体来说，到2011年～2012年，通过采用2Xnm的制造工艺与3位/单元～4位/单元的多值技术，NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。
但是，如果要实现超过128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技术。目前正在量产的NAND闪存通常都使用浮栅结构的存储单元。许多工程师也认为，2011年～2012年将量产的2Xnm工艺及其后的20nm工艺仍可采用现有的浮栅结构的存储单元。但据SanDisk公司分析，当工艺发展到20nm以下时，从
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SanDisk 20nm NAND
随著TMC股东和班底逐渐浮上台面，美光(Micron)和台塑集团将加速送出整合计画书，美光在台代表暨华亚科执行副总勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不会成功，即使成功亦不会解决台湾DRAM产业问题，但台系DRAM厂并不会步上奇梦达(Qimonda)后尘，因为台湾12寸厂产能相当吸引人，不会像奇梦达倒了都还找不到买主，而美光在台湾DRAM产业布局策略，除华亚科之外，亦将寻求与其它DRAM厂合资(JV)机会。
现阶段TMC还未有产能奥援，初期定位以利基型存储器公司作出发，采取尔必
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美光 DRAM NAND
三星电子正计划对美国德克萨斯州奥斯汀的一处内存芯片工厂进行升级改造，这一过程中将裁员500人。
三星奥斯汀半导体公司将投资5亿美元将对该工厂进行改造。该工厂将于10月份关闭，改造工作将于2009年末至2010年初开始。
今年早些时候，三星奥斯汀半导体公司在三星电子的大规模重组中裁员20人。该公司在当地拥有两家工厂，分别生产DRAM内存芯片和NAND闪存芯片。
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三星 内存芯片 DRAM NAND
手机及其它移动电子设备微型投影机发展惊人
据 iSuppli 公司，由于能够克服移动电子设备显示屏尺寸的限制，嵌入到智能手机等产品中的微型投影机的出货量未来四年将增长约 60 倍。
到 2013 年，内嵌式微型投影机的出货量将从今年的 5 万部升至超过 300 万部。附图为 iSuppli公司对内嵌式微型投影机全球出货量的预测。
iSuppli 对微型投影机的定义是：重量小于 2 磅 (约 0.9 公斤)、体积小于 60 立方英寸(约 983 立方厘米)、无需电池组的正投影机。虽然微
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智能手机 NAND
NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。
积极地来看，Harari称2013年NAND闪存位需求将达10万petabyte(PB，1 peta=100万Giga)，而现在为7000PB。当前和未来的NAND闪存需求让将爆炸性增长，其中包括最有潜力的市场驱动力——嵌入式移动应用市场。
Harari在闪存峰会的主题演讲中
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SanDisk NAND 闪存
英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量的优盘。
美光NAND闪存营销经理Kevin Kilbuck说，虽然在一个存储单元加入更多比特的数据能够提供更大的数据密度，但是，这种做法没有基于更标准的技术的闪存那样可靠。因此，每个储存单元3比特的芯片最初将仅限于应用到优盘。优盘没有要求固态硬盘的那种数据存储可靠性。固
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英特尔 NAND 34纳米
曾经是欧洲最大内存厂的奇梦达进入资产拍卖阶段，而此举刚好给了大陆切入内存产业领域的大好时机!浪潮集团将于8月中收购奇梦达西安研发中心，至于苏州封测也传出将由华润集团接手，而这些收购公司背后都有国资背景，显见在官方撑腰并下指导棋的情况下，大陆内存产业链终于完备。
德国内存龙头厂奇梦达确定遭到市场淘汰，并已正式进入资产拍卖阶段。目前奇梦达的资产包括6大研发中心、美国的弗吉尼亚与德国的德勒斯登12吋晶圆厂，以及大陆、葡萄牙、马来西亚的后段封测厂。至于奇梦达在大陆的基地，只有西安的研发中心与苏州的内存后
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奇梦达 晶圆 服务器 DRAM NAND
据日本媒体报道，日本近期半导体和液晶面板的生产水平得到回升，大型电器生产厂家纷纷决定利用暑期休假时间加班加点进行生产。由于环保积分制度促进数码家电销量增长等因素，市场需求得到恢复，库存调整也取得进展。生产水平的回升一旦上了轨道，这些企业的业绩有望得到好转，也可能为日本国内经济带来一股活力。
在液晶生产领域拥有主导权的夏普公司旗下龟山第二工厂的液晶面板生产线暑期照常开工。该工厂从8月起将液晶面板产能提高约10%，在建中的堺市新工厂也将于10月起按预定计划开工。
东芝公司旗下生产用于手机等的&
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夏普 液晶面板 半导体 NAND
8月6日消息，日本芯片制造业龙头东芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片业务资本支出增长将减缓，并寻求扩张核能发电及智能型电网业务，3年后其电力及基础建设业务的获利，将达电子产品部的2倍。
东芝的半导体部门已连续3季出现营业亏损，使其减缓该部门支出，并在其它领域寻求固定营收来源，例如健康医疗及水处理等。
东芝目前预期，包含微芯片、传感器及液晶显示器(LCD)等电子产品部门于2012年3月底结束的会计年度，获利将达约1000亿日元(10亿美元);而届时社会基础建设业务获利则可达2000亿
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东芝 NAND 晶圆
尽管最近市场调研公司VLSI仍不修正半导体业阴沉的预测， 即09年全球设备市场下降44.2%及半导体市场下降12.4%，而其CEO Hutcheson对于IC工业仍非常乐观。
根据与Hutcheson的对话及公司的最新报告， 以下将结论刊出， 共有4个正面意见及2个负面看法。以下是为什么分析师呈现乐观或者担心的原因。
1. 看到回升
7月的周报IC销售额上升到33亿美元， 打破了三周来IC销售额的阴沉局面， 因为通常7月是典型的弱月份， 所以这条消息具正面意见。依周与周的比较，IC销
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Cisco 通讯 太阳能 NAND
在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格(ASP)约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元，较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收排行来看，Samsung营收为10亿3千7
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Micron NAND
据台湾媒体报道，东芝日前发生日本晶圆厂遭到雷击短暂停电事件，尽管NAND Flash产能并未受到影响，然令业界意外的是，由于该厂房主要生产包含快闪记忆卡控制芯片的逻辑IC产品，因此，使得东芝microSD卡供应量骤降，带动近期microSD卡价格上涨逾10%。
内存业者认为，过去记忆卡价格一直严重偏低，业界趁此机会调涨终端记忆卡售价，但NAND Flash芯片价格上涨机率则不高。
业内人士表示，2009年初NAND Flash芯片价格持续上涨，记忆卡价格却没有跟上来，导致NAND Flas
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东芝 NAND 晶圆
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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