- 全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战，亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片，且已陆续送样给控制芯片厂，这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力，亦将影响NAND Flash市场
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三星 NAND 30纳米 43纳米
- 6月24日消息,三星电子和Numonyx表示，双方将联合开发前途光明的下一代记忆体科技--相变化记忆体技术。
三星电子和Numonyx表示，双方将合作开发PCM的通用规范，该技术有望用于高级听筒、移动电话和电脑设备中。英特尔和意法半导体(STM去年合资组建了Numonyx.。三星电子和Numonyx称，PCM读写速度非常快，但耗电量却低于传统的NOR和NAND快闪记忆体。
三星电子和Numonyx还表示，双方的通用规范将于今年完成，预计明年将推出兼容设备。
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三星 NAND NOR PCM 相变化记忆体
- 据市调公司DRAM Exchange的调查，2009年，传统笔记本市场上的SSD硬盘使用率仅仅只有1-1.5%，而 在低端市场SSD硬盘的占有率也只有不到10%。造成这种现象的原因是16Gb/32Gb NAND闪存价格的上涨。今年上半年，这种规格闪存的价格不断上扬，而由此产生的利润空间自然就减小了。
DRAM Exchange声称上网本与传统笔记本中使用SSD硬盘的比率今年出现持续下降的态势，结果导致“SSD销量总体表现很糟糕”。相比传统机械硬盘，SSD硬盘的每GB价格依
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SSD NAND 上网本
- 6月22日消息，据路透社报道，三星电子周一表示，已与日本东芝就半导体业务签署交叉授权交易。
东芝是继三星电子之后，全球第二大NAND快闪记忆体(闪存)芯片制造商。
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三星 NAND 芯片制造
- 今年前两个季度NAND闪存的平均销售价格(ASP)反弹，令供应商非常高兴，使其在2008年经受惨重损失之后又获得了希望。
为了尽快恢复盈利，这些供应商在2008年纷纷削减产能以应对市场需求疲弱的局面。据iSuppli公司，此后，NAND闪存价格在第一季度上涨了11%，在第二季度估计上涨了28%。
虽然这对于闪存供应商来说是好事，但却可能对固态硬盘(SSD)在主流PC市场的普及带来负面影响。SSD的90%由闪存部件构成。
SSD上网本失色
在全球电子市场面临不确定性之际，PC制造
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- SD(安全数码卡)目前是我们的主要应用产品市场之一。由于有新的标准和产品出现，MMC(多媒体卡)逐渐走向嵌入式应用。SD/MMC目前占我们营收比重仍是最大的，约在30%左右，其实这部分业务在2008年是下滑的，而新业务带来的收入在增长，2008年慧荣的出货量增长了35%左右。我们在全球NAND型控制芯片市场占有很大的比重，但由于价格的下降，我们的销售额与2007年持平。
总的来说，慧荣拥有3大产品线：移动存储、多媒体单芯片及移动通信。移动存储产品提供管理闪存的控制芯片，应用范围包括闪存卡、U盘、
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- 据日本经济新闻报道，东芝表示将关闭部份芯片生产部门，取消近期宣布的分拆决定，以整顿亏损累累的芯片业务。
报导指出，东芝计划关掉Kitakyushu厂两条生产线，而岩手县Toshiba Electronics Co部门6寸晶圆产能则将腰斩。
据报载，公司将裁减生产线的临时雇员，部份全职员工将改派至芯片部门以外的业务单位。
东芝预估，废弃生产设备及采取相关措施所耗费的重整费用将达300亿日元(约合3亿美元)。东芝打算减少6寸或更小尺寸晶圆三成的产量。
公司意图透过整顿亏损连连的芯片
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- 全球非易失性存储领先厂商恒忆(Numonyx)宣布任命龚翊(Grace Gong)为恒忆亚洲区嵌入式业务部副总裁。在加入恒忆前龚翊任飞索半导体(Spansion)嵌入式事业部亚洲区副总裁，龚翊的加入将为恒忆带来更多针对亚洲嵌入式市场的经验。作为副总裁，她将负责恒忆亚洲区嵌入式产品的销售与业务管理，带领团队为亚洲客户和合作伙伴提供更完善的服务与支持。
“亚洲在全球嵌入式产品市场具有重要的战略地位，恒忆致力于提供相关产品与技术支持，以满足嵌入式市场的需求”，恒忆全球嵌入式业务
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- 据国外媒体报道，三星电子周三宣布，以更低的许可价格，与美国芯片生产商SanDisk续签了7年的NAND闪存技术许可协议，不过协议规定三星必须向SanDisk供应芯片。
三星在提交给韩国证交所的文件中称，由于协议是2家公司内部签署的，无法透露所有信息，但可以透露的是，许可费将是当前协议的1半左右。SanDisk公司董事长和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，对于今天宣布的协议我们感到非常满意，此外，继续获得三星闪存芯片可使我们在控制资本支出上拥有更大的灵活性。
新协
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- 近期刚宣布将在2010年制成64Gbit非易失电阻式RAM的美国Unity Semiconductor公司计划找一家IDM合作建厂来制造该产品。
Intel和Micron的NAND闪存合资公司——IM Flash是潜在合作伙伴之一，尽管Unity更倾向于将工厂建在亚洲，因为该存储产品需用到钙钛矿。
据悉，建该工厂和一座先进逻辑晶圆厂相比要便宜一些。IM Flash显然是一家理想的合作伙伴。Unity公司总裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度过了
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- NAND Flash经历2个月价格狂飙后，近期市场买气一夕转淡，记忆体模组厂纷因库存急增，开始出现惊慌失措。模组厂表示，3、4月NAND Flash涨价时，通路商一度担心会缺货，因而囤积不少库存，然5月NAND Flash市场却出乎意外地很快冷却下来，由于消费者需求不振，导致中间通路商手上库存整个塞住，并造成16Gb产品现货价跌破4美元心理关卡，合约价涨势亦熄火，模组厂5月同时面临NAND Flash和DRAM需求不振，恐将反应在营收表现上。
模组厂表示，2009年第1季NAND Flash市场
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- 美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。
这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍，存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。
NAND型闪存因为存储容量大等特点，目前在数码产品中应用比较广泛。但也有一些专家认为，NAND型闪存未来可能遭遇物理极限，容量将无法再进一步提高。“统一半导体”表示，其制造的新型存储器旨在
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- 全球最大的存储芯片制造商--韩国三星电子公司11日预计，由于全球经济形势恶化，2009年对于芯片商而言是艰难的一年。
据道琼斯新闻网报道，三星电子公司半导体业务总裁权五铉当天对投资者说，很难预测全球芯片市场何时回暖。他说，随着企业压缩信息技术产品开支以及消费者收紧“腰包”，今年以来全球个人电脑和手机市场需求正在持续萎缩。
不过，他指出，今年三星公司的存储芯片出货量仍将继续增加，预计今年该公司DRAM芯片的出货量最高将增加15%，NAND闪存芯片出货量最高将增加30%
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- 恒忆半导体(Numonyx)、群联电子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司签署一份合作开发协议，三方将按照JEDEC新发布的JEDEC eMMC™ 4.4产业标准，为下一代managed-NAND解决方案开发闪存控制器。 预计此项合作将加快当前业内最先进的eMMC标准的推广，有助于管理和简化大容量存储需求，提高无线设备和嵌入式应用的整个系统级性能。
根据这项协议，恒忆、群联电子和海力士将利用各自的技术，开发能够支持各种NAND闪存
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Numonyx NAND 闪存控制器
- 《华尔街日报》撰文称，从上周末三星和海力士发布的财报可以看出，内存芯片行业似乎已经触底，这对整个半导体行业来说是一个积极的信号。
虽然内存芯片行业收入只占全球半导体行业2600亿美元总收入的14%，但作为使用广泛的芯片，其地位类似芯片行业中的日用商品，很难与其他芯片部门区分开来，因此是芯片行业整体表现的主要指标。内存行业下滑开始于2007年初，随后芯片行业在2008年就开始了全面衰退。
上周五，两家全球最大的内存芯片商三星电子和海力士都在发布第一季度报告时称，与芯片有关的亏损低于上年同期。
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nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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