《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，结果选出了两个最有希望的候选 者：相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM我们偶尔会有所耳闻。它基于硫系玻璃的结晶态和非结晶态相变属性，单元尺寸较小，而且每个单元内能保存多个比特，因此存储密度和成本
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NAND 闪存 相变存储
2008年DRAM产业跌落谷底，台湾DRAM厂开门做生意平均每天亏新台币1亿元，且庞大的负债成为台湾科技产业的巨大问题，因此经济部为挽救台湾内存演产业，宣布要进行产业再造，成立台湾内存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因为此名字已被其它公司注册，因此改名为Taiwan Innovation Memory Company，简称为TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登记成立，董事长为联电荣誉副董事长宣明智，带领台湾内存产业再造的任务，目的在于协助台湾DRAM产
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TIMC DRAM NAND Flash
美光科技股份有限公司日前宣布，该公司将业界一流的34纳米4Gb单层单元NAND闪存与50纳米2Gb LPDDR相结合，生产出了市场上最先进的NAND-LPDDR多芯片封装组合产品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装产品以智能手机、个人媒体播放器和新兴的移动互联网设备为应用目标。较小的外形尺寸、低成本和节能是这类应用的核心特色。
美光公司目前向客户推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装试用产品，预计于2010年初投入量产。4Gb NAND-2Gb LPDDR组合
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美光 NAND 34纳米 智能手机
10月28日消息，据国外媒体报道，全球最大的记忆体芯片制造商韩国三星电子周三表示，该公司目标要在三年内将半导体业务营收提高逾50%，并对2010年记忆体市场发表乐观的看法。
三星电子将在周五公布第三季财报。该公司估计，今年半导体业务营收为166亿美元，并称目标要在2012年达到255亿美元营收。
三星指出，明年动态随机存取记忆体(DRAM)和NAND快闪记忆体(闪存)芯片将出现小规模短缺情况。
韩国三星半导体事业群总裁劝五铉在一项高层主管会议上发表上述预估，公司发言人士也确认了这项消
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三星 NAND 存储
英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.
英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.
This image shows phase-change memory bu
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Intel 5纳米 DRAM NAND
最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。
9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 内存 存储
美国内存大厂SanDisk近日公布第3季财报，意外由亏损转为强劲获利，主要由于销售额优于预期，以及先前减记的库存收入回补加持。这也反映了内存制造商持续受惠于闪存芯片市场好转趋势。
据国外媒体报道，SanDisk第3季由去年同期的亏损1.659亿美元或每股74美分，改善为获利2.313亿美元或每股99美分。去除特殊项目后，每股获利则为76美分，优于分析师预期的每股26美分。
该季营收增长14%至9.352亿美元，远优于公司今年7月份预估的介于7.25-7.75亿美元，以及分析师预期的7.87
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SanDisk NAND 闪存芯片
“经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期，却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件，形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局，反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示，2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash，且100%为自有技术，比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件，未来力晶
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力晶 DRAM 存储器 NAND
镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍.
镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。
镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
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镁光 NAND 闪存芯片 34nm
研究机构集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨约8%~10%，主要原因是多数供货商已接获部份电子系统厂客户10月到11月的旺季长单，同时近期记忆卡客户的旺季备货需求，因此NAND Flash市场供货吃紧，在卖方主导市场下，10月上旬NAND Flash合约价持续地上扬。
16Gb MLC NAND Flash合约价走势图
集邦科技指出，在10月到11月，多数NANDFlash供货商份仍将优先供货给电子系
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NAND 存储 闪存
2009年NAND Flash缺货缺翻天，三星电子(Samsung Electronics)在享有最大获利之余，不但对饱受缺货之苦的存储器模块厂袖手旁观，还要推出「SAMSUNG」自有品牌记忆卡产品来抢食客户饭碗，到底葫芦里是卖什么药?业界相当好奇!而原本应该站在反对立场的大客户创见，这次却成为三星自有品牌记忆卡的代理商，究竟整起故事的来龙去脉为何?连同业都有雾里看花之感，只能说三星2009年真的是新人事、新作风，每一步都让业界跌破眼镜!
与三星做生意的客户都知道，2009年不论在DRAM或是N
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三星 NAND Flash
NAND Flash产业受到苹果(Apple)备货和智能型手机内嵌存储器的带动，32Gb容量的MLC型NAND Flash均价大涨至7.5美元，存储器模块厂9月营收在NAND Flash和DRAM芯片价格双双大涨的带动下，预计可再次创下新高，同时第3季获利也将雨露均沾;群联9月营收续创历史新高，创见也受惠欧洲市场买气回笼，9月预计可达新台币30亿~35亿元水平，威刚更在PC OEM的DRAM模块订单涌入下，9月营收预估可达35亿~40亿元，劲永9月营收也将维持高档不坠。
NAND Flash现货
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Apple NAND 智能手机
三星电子(Samsung Electronics)2009年随著新经营团队上任，营运策略出现不少重大转变，将影响存储器产业生态，三星日前决定全面停止对台销售DRAM芯片，一律只销售DRAM模块。存储器厂表示，三星策略明显侧重OEM市场，减少与现货客户合作，就连NAND Flash芯片供货策略，亦同样以消费性电子大厂为优先，尤其近期PC厂对于DRAM模块需求强劲，三星供应台湾DRAM模块数量大减，市场日前甚至喊出 1条DDR2模块40美元天价。
存储器业者指出，三星2009年在全球供货策略出现许多
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Samsung DRAM NAND
NAND Flash产业受到苹果(Apple)备货和智能型手机内嵌存储器的带动，32Gb容量的MLC型NAND Flash均价大涨至7.5美元，存储器模块厂9月营收在NAND Flash和DRAM芯片价格双双大涨的带动下，预计可再次创下新高，同时第3季获利也将雨露均沾;群联9月营收续创历史新高，创见也受惠欧洲市场买气回笼，9月预计可达新台币30亿~35亿元水平，威刚更在PC OEM的DRAM模块订单涌入下，9月营收预估可达35亿~40亿元，劲永9月营收也将维持高档不坠。
NAND Flash现货
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Apple NAND 智能手机
据iSuppli 公司，虽然2009 年面向笔记本电脑的固态硬盘(SSD)销售因为内存价格飞涨而受挫，但企业市场对弥补上述领域的疲软表现是绰绰有余，从而推动今年整体SSD 市场的营业收入将增长六倍。
第二季度NAND 闪存的成本大幅上升，引起SSD 价格跳涨，使其与硬盘驱动器(HDD)相比缺乏竞争力，并影响其在笔记本电脑中的普及。 NAND 闪存是SSD 中的关键部分，约占其价值的90%。然而，对于寻求扩展功能和降低整体功耗的企业数据中心来说，SSD 仍然是一个具有吸引力的选择。
由于企业
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NAND SSD PC
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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