分析师指出，资本支出创下历史新低使IC市场供应收紧，价格可能随之上涨，但可能会发生其他不可预料的结果。
IC Insights总裁Bill McClean称，今年半导体资本支出在销售额中所占的比例降至12%，创历史新低。芯片商在经历了严重衰退后，对资本投入依然比较谨慎。
“我们还不知道资本支出比例12%意味着什么。”McClean说道，“我们从来没有遇到过这种情况。”
资本支出比例在2008年为16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
据业者透露，东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能，直至达到20万片的产能水平。
东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc(每存储单元3bit数据)闪存芯片的量产，按原先的计划，合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右，不过按目前的产能规划来看，实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。
另一方面，对手In
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SanDisk 20nm NAND 闪存芯片
苹果意外在9月初向NAND Flash大厂下订单，导致NAND Flash供给大幅吃紧，预计在2009年11月底之前，缺货情况仍无解。现在三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)产能都被苹果包下来，另外存储器模块龙头大厂金士顿(Kingston)则是包下英特尔70%的NAND Flash产能，双方成为长期合作伙伴，显示未来全球4大NAND Flash厂能释出的产能相当少，缺货潮将延烧到11月。
存储器业者表示，这次NAND Flash缺货潮相
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英特尔 NAND 存储器
2009年面临DDR2和DDR3规格交替之际，各厂纷纷压宝气势如虹的DDR3气势，DDR2饱受冷板凳之苦许久，然现在风水轮流转，DDR2受到供给减少、PC大厂又回头青睐之故，市场意外出现缺货声浪，DRAM厂和模块厂双双感叹误判形势，导致现在DDR2库存过低，南亚科副总白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺货问题将更明显浮上台面，且由合约价蔓延至现货价，届时1Gb DDR2现货价格将看到2美元。
近期市场传言，三星电子(Samsung Electronics)有意将1Gb DDR2价格压在1.7美
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Samsung DRAM NAND
手机搭载记忆体分为2种形式，第1是外接快闪记忆卡，第2是内建NAND Flash记忆体。随着消费者对于利用手机下载多媒体影音、照片、游戏等需求日益提升，对于记忆体容量的需求更是越来越高。
过去只流行数位相片的时代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相当够用，但数位影片的风气盛行后，这样的低容量产品已无法满足消费者的需求，因此除了外接快闪记忆卡之外，内建NAND Flash记忆体的风潮已开始发酵，从最早内建4GB和8GB容量记忆体，现在内建记忆体容量已提升至16GB和32GB。
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Samung NAND 智能手机
市场研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash销售额和出货量分别增长98%和67%，其他产品的业绩数据也十分健康，这说明产业已调头撞向V形反弹的上升阶段。
从今年1月到7月，IC市场销售额增长了43%，DRAM、MPU、模拟电路销售额分别增长61%、57%和50%。
爆炸式的增长率当然也与今年1月半导体市场业绩达到此轮衰退的最低点有关。
“IC产业复苏并不会是缓慢的，而是V形增长，目前上升周期已经开始。”IC Insights分析师
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DRAM NAND MPU 模拟电路
近日三星电子(Samsung Electronics)紧急通知台系存储器模块厂，9月对于台厂NAND Flash供货量将锐减50%，迫使部分存储器模块厂大老板紧急前往韩国调货;无独有偶地，美光(Micron)日前亦告知客户无货可供应，加上原本供货量有限的东芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash产能呈现严重不足。存储器业者透露，主要是苹果(Apple)iPhone和iPod不断追加订单，加上手机大厂内建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash产能几乎被消费性大
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三星 NAND iPhone iPod
DRAM价格趋于稳定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，台厂面对这样美好的光景，心中还是有些疑虑，担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗，破坏DRAM价格涨势，然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单，且随著智能型手机价格平民化的趋势，未来内建高容量存储器普及，都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景，三星在喜迎苹果大单之余，也无暇与台系DRAM厂厮杀，暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。
2009 年存储器产业触
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三星 DRAM NAND 存储器
根据国外媒体爆料，NAND闪存芯片制造商以及英特尔的合作伙伴美光科技可能会收购英特尔投资的NOR闪存制造商Numonyx。
这将使得英特尔能够摆脱掉Numonyx，而美光则可以藉此进入NOR闪存业务，并获得Numonyx的phase-change memory技术。
Numonyx是英特尔的合资公司，英特尔拥有其45%的股份，意法半导体持股49%。金融服务公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立时投资了1.5亿美元。闪存业务对英特尔和意法半导
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英特尔 NAND 闪存芯片 智能手机
韩国三星电子计画于今年10月底前停止使用8寸晶圆生产DRAM，将DRAM的生产全数转为使用12寸晶圆，以藉由使用产能效率较高的大尺寸晶圆来提高DRAM的成本竞争力。
报导指出，三星电子计画于10月底前停止在美国德州奥斯丁(Austin)半导体工厂内生产使用8寸晶圆的DRAM，加上三星电子已于今年初停止京畿道华城工厂的8寸晶圆DRAM生产，故待奥斯丁工厂停止生产后，三星电子的DRAM生产将全数转为使用12寸晶圆。
彭博社曾于日前转述韩国网路媒体“E-Daily”报导指
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三星 DRAM 晶圆 NAND
全球最大NOR闪存芯片供应商之一恒忆(Numonyx)宣布，该公司已于7月12日与上海外高桥保税区签署厂房租赁合同，正式投资落户上海。今天上午，恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison专程赴沪考察上海研发中心新址，并拜会了外高桥保税区管委会主任助理、功能区域党工委副书记、管委会副主任简大年等领导。双方代表齐聚一堂，共同见证了这一重要历史时刻。
恒忆正式成立于2008年3月，是由英特尔(Intel)和意法半导体(STMicroelectronics)以各自的闪存部门组成的合资企业，拥有技术
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Numonyx NOR NAND RAM PCM
美国从事半导体相关市场调查的IC Insights发布预测称，NAND闪存市场将迎来价格上升局面。IC Insights预测，由于在需求增加的情况下各大厂商减少设备投资，造成供需紧张，因此到2012年之前平均销售价格将继续保持上升趋势。
IC Insights自1993年开始就NAND闪存市场进行调查以来，NAND闪存的供货量低于上年业绩的只有2001年一次。该公司预测，今后到2013年供货量将稳步增加。全球经济低迷的2009年也不会例外。
供货容量也将大幅增长。即使是全球经济低迷的200
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三星 NAND 闪存
在全球金融危机影响下，由于市场的萎缩导致大部分企业都不甚景气，向来红火的半导体业也感觉压力深重。在探讨未来如何发展之中，发现各种矛盾丛生，似乎很难作出决断。
投入多产出少，能持久吗?
SanDisk CEO Eli Harari于近期阐述了自己对于NAND闪存技术未来发展的几点看法，认为NAND闪存产业正处在十字路口，未来的产能需要和产品需求两者之间脱节，也即每年投资巨大, 然而由于ASP下降导致销售额没有相应的增大，利润越来越薄,目前糟糕的NAND闪存产业模式使得制造厂商对于建新厂已逐渐
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SanDisk NAND 光刻 模拟电路 存储器
SEMI World Fab Forecast最新出炉报告，2009年前段半导体业者设备支出下滑，其中第1季的资本支出便较2008年第4季下滑26%至32亿美元。然而，资本支出在2009年第2季便已呈现落底，目前在整个产业供应链也已经看到稳定回升的讯号，其中晶圆代工厂2009年下半年扮演资本支出复苏推手，存储器晶圆厂、后段封测则跟进。
晶圆代工厂台积电宣布，增加2009年资本支出回复到2008年19亿美元的水平，比起原本的预测提高了26%左右。随后，台积电第2季的投资法人说明会上，台积电又进一步
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台积电 晶圆代工 NAND
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VxWorks FLASH NAND 驱动
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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