- 西门子数字化工业软件近日与半导体晶圆制造大厂联华电子 (UMC) 合作，面向联华电子的晶圆堆叠 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圆堆叠 (chip-on-wafer) 技术，提供新的多芯片 3D IC (三维集成电路) 规划、装配验证和寄生参数提取 (PEX) 工作流程。联电将同时向全球客户提供此项新流程。通过在单个封装组件中提供硅片或小芯片 (chiplet) 彼此堆叠的技术，客户可以在相同甚至更小的芯片面积上实现多个组件功能。相比于在 PCB
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西门子 联华电子 3D IC 混合键合流程
- 市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
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集邦 DRAM NAND
- 根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
- 全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合，理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术，为用户提供出色的娱乐和用
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美光 智能座舱 DRAM UFS ADAS 域控制器 车载信息娱乐系统
- IT之家 7 月 18 日消息，日经新闻表示，半导体存储芯片之一的 DRAM 正在加速降价，作为上代产品的 DDR3 型的 4GB 内存连续 2 个月下跌。指标产品的 6 月大单优惠价环比下跌 1 成，创出 1 年半以来新低。从作为指标的 8GB DDR4 内存来看，6 月报价约 2.7 美元每个，环比下跌 0.3 美元（10％），而容量较小的 4GB 内存约为 2.18 美元 / 个，环比下跌 10％，同比下跌 32％，处于 2020 年 12 月以来的最低水平。分析师认为，PC 和智能手机的
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DRAM 市场
- 在今年Gartner的半导体市场分析报告中指出，从历史角度来看，存储市场一直规律的处于2~3年的周期波动中。2021年DRAM市场存在一个供不应求的情况，使得价格上涨，但在2022年下半年会恢复并且进入供过于求的周期，这个周期会导致存储市场价格的整体下滑。下面我们来具体分析都存在哪些因素导致DRAM的周期波动。1.地缘问题导致消费市场向下修正 俄乌战争打破欧洲和平局面，导致能源价格大幅提升，整体社会的消费水平降低，企业和消费者会减少很多不必要的开支。早在4月底，美国商务部公布的数据显示，美国一季度G
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DRAM 半导体 市场
- 随着智能化、电动化浪潮的推进，汽车芯片的含量成倍提升，电动车半导体含量约为燃油车2倍，智能车为8-10倍。需求增量端2020年全球约需要439亿颗汽车芯片，2035年增长为1285亿颗。价值增量端，2020年汽车芯片价值量为339亿美元，2035年为893亿美元。可见芯片将成为汽车新利润增长点，有望成为引领半导体发展新驱动力。 汽车芯片从应用环节可以分为5类：主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等，以存储芯片为例，2022年全球汽车存储芯片市场规模约52亿美元，国内汽车存储芯片市场规模
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北京君正 兆易创新 DRAM NAND
- 关键优势：● 随着 CPU 内核数量不断增加，改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍，进而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高达 64GB 的模组容量，能够支持内存密集型工作负载[4]● DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能，有助于优化系统整体运行性能 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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美光 数据中心 DRAM DDR5
- 近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
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DRAM NAND
- 近日，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 ：“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
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长江存储 3D NAND
- 全球范围看，2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元，增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市场规模约占56%，NAND Flash市场规模约占41%（IC Insights数据）。另外，根据CFM 闪存市场预计，2021年全球存储市场规模将达1620亿美元，增长29%，其中DRAM为945亿美元，NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近，相差100亿美元。目前，全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
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存储芯片 DRAM NAND Flash
- 这两年，长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘，都呈现火力全开的姿态，从技术到产品都不断推陈出新。6月23日，长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列，可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景，而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压，可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
- 国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支：半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，根据功能的不同，集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析 国内开始布局存储产业规模化，中国大陆的存储器公司陆续成立，存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下，国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。 半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
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存储 DRAM 市场
- 根据TrendForce最新研究显示，尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱，但先前DRAM原厂议价强势，并未出现降价求售迹象，使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下，部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图，尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力，此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%，扩大至近10%，若后续引发原厂竞相降价求售的状况，跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望，且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上，除非有极大的价格
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TrendForce DRAM
- 近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
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