IT之家 12 月 26 日消息，韩国《首尔经济日报》表示，尽管明年全球经济将放缓，三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。据称，三星 2023 年存储器和系统半导体的晶圆产能提高约 10%。业内消息人士称，三星电子将在位于韩国平泽的 P3 工厂增加 DRAM 设备，12 英寸晶圆月产能可达 7 万片，明年将把 P3 代工晶圆产能提高 3 万片（共 10 万），高于目前 P3 厂 DRAM 产线的每月 2 万片产能。三星电子计划利用新的设备生产 12 纳米级 DRAM。截至今
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三星 晶圆代工 DRAM
三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5
DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"AMD高级副总裁、企业院士兼客户、计算
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识，并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途；以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加，从工业机器人、自动化系统，到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择；它们具有高重复性和可靠性，还可以与窗户、门和外壳搭配，进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此，使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器（MCU）介接，以
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3D位置感测 实时控制 3D 霍尔效应传感器
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官网宣布，成功开发出 DDR5 多路合并阵列双列直插内存模组样品，这是目前业界最快的服务器 DRAM 产品。该产品的最低数据传输速率也高达 8Gbps，较之目前 DDR5 产品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方称，该 MCR DIMM 产品采用了全新的方法来以提高 DDR5 的传输速度。虽然普遍认为 DDR5 的运行速度取决于单个 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个 DRAM 芯
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SK海力士 DRAM
12月5日，DRAM大厂南亚科发布公告11月自结合并营收为新台币27.71亿元，较上月减少0.40%，较去年同期减少61.81%。累计合并营收为新台币545.52亿元，较去年同期减少30.65%。据TrendForce集邦咨询11月16日研究显示，南亚科（Nanya）因consumer
DRAM产品比重高，第三季营收衰退达40.8%，衰退幅度为第三季前六大业者最甚。南亚科已于第四季小幅减少投片，但转进1Anm的进度仍旧持续，预期2023上半年推出样本，然客户端因需求展望保守，导入意愿可能并不积极，预计
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DRAM 南亚科
很显然内存市场的需求依然很淡，不少消费者依然没有出手，当然还是觉得厂商能继续降价。调研机构TrendForce现发布了最新的研究报告，表明目前DRAM现货报价仍在保持下跌的趋势，主要买家对未来皆抱持跌价心态，整体市况仍因大环境因素影响价格难以止跌。具体来说：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交价在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE报价下调至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即将到货而降至 2.00~2.03 美元。
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内存 DRAM，三星 SK海力士
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的软件工程师宣布了一款专为 SSD 和持久内存设计的开源存储引擎 HSE，这是一款快速键值存储数据库。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依赖于对 Linux 内核的修改，改为完全基于用户空间的解决方案。本周，美光发布了 HSE 3.0 开源存储引擎，带来了更多功能改进。据介绍，HSE 3.0 改进了数据管理，提高了各种重要工作负载的性能。此外，HSE 3.0 引擎围绕具有单调递增键（例如时间序列数据）的工作负载、多客户端工作负载、将压缩和未压缩值存储
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美光 SSD DRAM HSE
2022年11月16日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人脸识别门禁系统方案。 图示1-大联大世平基于耐能Kneron产品的3D AI人脸识别门禁系统方案的展示板图 在现代化经济建设和智能管理的驱动下，人工智能门禁系统作为安防基础核心迎来了前所未有的广阔前景。特别是在疫情这个特殊情境下，各种酒店、宾馆、写字楼、智能大厦、政府机关等单位，对于多功能智能门禁系统的需求更是日益攀高。在此趋势下，大
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大联大世平 耐能 Kneron 3D AI 人脸识别门禁
新闻重点· 随着业界首次采用 Arm 2022 全面计算解决方案，Arm 持续提高安卓生态系统的性能标杆· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光线追踪，将为高级移动游戏提供超真实的图形性能· Arm Cortex-X3 所提供的计算基础可为新一代智能手机提供具有智能能效的旗舰性能Arm® 今日宣布，MediaTek 近期发布的天玑 9200 移动芯片采用了 Arm 旗舰级 GPU Arm Immortalis™-G
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Arm Immortalis 3D 游戏
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SK海力士 移动端 DRAM HKMG
IT之家 11 月 9 日消息，根据最新的报告，三星电子在全球 DRAM 市场的份额已跌至八年来的最低点。据 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日发布的报告，第三季度全球 DRAM 市场销售额为 179.73 亿美元（当前约 1301.25 亿元人民币），较第二季度的 254.27 亿美元下降 29.3%。三星电子的 DRAM 销售额从第二季度的 111.21 亿美元下降到第三季度的 73.71 亿美元（当前约 533.66 亿元人民币
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三星 DRAM
本周美光宣布，采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。 1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。 一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目
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美光 DRAM 内存芯片 光刻机 EUV
11 月 2 日消息，据国外媒体报道，受电子消费品续期下滑影响，当前全球存储芯片市场并不乐观，DRAM 与 NAND 闪存的需求和价格都有下滑，三星电子、SK 海力士等存储芯片制造商的业绩，也受到了影响。虽然存储芯片市场整体的状况并不乐观，但部分领域的需求，却在不断增长。研究机构在最新的报告中就表示，服务器 DRAM 的需求在不断增长，在今年有望首次超过智能手机、平板电脑等移动设备对 DRAM 的需求。研究机构在报告中预计，今年全球服务器对 DRAM 的需求，会达到 684.86 亿 GB，智能手机、平板
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DRAM 市场
当地时间11月1日，美光宣布正在向选定的智能手机制造商和芯片组运送其1β DRAM技术的合格样品合作伙伴，并已通过世界上最先进的DRAM技术节点实现了量产准备。据官方介绍，美光于2021年实现1α LPDDR5X DRAM批量出货，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每区储存的位元数也增加35%。美光表示，随着LPDDR5X的出样，移动产品将率先从1β DRAM 的提升中获益，提升新一代智能手机的性能的同时，消耗更少的电力。美光DRAM程序整合部门副总裁Thy Tran表示，新版
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功率效率 美光 1β DRAM
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