- 2005年4月4日存储器和微控制器多片封装技术应用的领导者意法半导体日前宣布该公司已开发出能够叠装多达8颗存储器芯片的高度仅为1.6mm的球栅阵列封装(BGA)技术，这项封装技术还可以将两个存储器芯片组装在一个厚度仅为0.8mm的超薄细节距BGA封装（UFBGA）内，采用这项制造技术生产的器件可以满足手机、数码相机和PDA等体积较小的设备的存储需求。 ST的多片封装（MCP）器件内置通常是二到四颗不同类型的存储芯片，如SRAM、闪
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ST 封装
- 2005年3月10日意法半导体与Siliconix宣布达成一项许可协议，Siliconix将向ST提供最新的功率MOSFET封装技术的许可使用权，这项技术使用强制性空气冷却方法，系统顶端与底部设有散热通道，从而使封装具有更加优异的散热性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司（纽约证券交易所：VSH）持有80.4%股权的子公司。 Siliconix提供给ST的新封装命名为Polar
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ST 封装
- 2005年4月13日为满足便携式产品行业对分立元件封装进一步小型化的需求，安森美半导体推出50多种SOT-723 平引脚封装的小信号晶体管和小信号二极管。这新型封装仅利用1.44 mm2的印刷电路板(PCB)面积，可提高硅与封装之比率，并提供卓越的功耗性能。 安森美半导体小信号产品总经理马文乐(Mamoon Rashid)说，“安森美半导体拥有最广泛的先进技术，将提供采用SOT-723封装的小信号器件
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安森美 封装
- 中芯国际(0981.HK)日前宣布将与合作伙伴在四川成都成立集成电路封装测试厂，业界猜测该合作伙伴可能是新加坡联合测试与装配中心公司(UTAC)，但双方均不就此事置评。UTAC发言人表示，现阶段不作评论，也不会猜测任何市场传言。 中芯国际总裁兼首席执行长张汝京上周在分析员电话会议没透露合营伙伴的名称，只表示， 待4月正式签订合作协议后，最快5月向外公布。他指出，集团将持有该座集成电路封装测试厂的控股权，新厂房已于去年底动工，预计今年9月迁入生
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中芯 封装
- 凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 输出电流的高压、微功率、低压差稳压器 LT3014。该器件采用范围为 3V 至 80V 的持续输入电压工作，可以 350mV 的低压差产生 1.22V 至 60V 的输出电压，非常适用于汽车、48V 电信备份电源和工业控制应用。7uA（工作时）和 1uA（关机状态）的超低静态电流使该器件成为要求最长工作时间并由电池供电的存储器“保持有效”系统的极好选择。LT3014HV 版本可耐受持续 2ms 的 100V 输入瞬态电压，是电信和汽车应用
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凌特公司 封装
- 2005 年 4 月 5 日凌特公司（Linear Technology）推出可提供 20mA 输出电流的高压、微功率、低压差稳压器 LT3014。该器件采用范围为 3V 至 80V 的持续输入电压工作，可以 350mV 的低压差产生 1.22V 至 60V 的输出电压，非常适用于汽车、48V 电信备份电源和工业控制应用。7uA（工作时）和 1uA（关机状态）的超低静态电流使该器件成为要求最长工作时间并由电池供电的存储器“保持有效”系统的极好选择。LT3014HV 版本可耐受持续 2ms
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凌特 封装
- 凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 时具有 18uA 超低工作电流的 LTC6906 可编程硅振荡器。LTC6906 是便携式设备的理想时钟芯片，其占板面积仅为 LTC6906 ThinSOTTM 封装和一个电阻所占面积。这些振荡器无需旁路电容，可以编程至介于 10kHz 至 1MHz 之间的任何频率。与晶体和陶瓷谐振器不同，LTC6906 不受加速、冲击和震动问题的困扰。其时钟启动时间仅为 200us，非常适用于时钟速度可能降低或甚至关断时钟以节省功率的便携式设备。LTC
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凌特公司 封装
- 凌特公司（Linear Technology）推出在 100kHz 时具有 18uA 超低工作电流的 LTC6906 可编程硅振荡器。LTC6906 是便携式设备的理想时钟芯片，其占板面积仅为 LTC6906 ThinSOTTM 封装和一个电阻所占面积。这些振荡器无需旁路电容，可以编程至介于 10kHz 至 1MHz 之间的任何频率。
与晶体和陶瓷谐振器不同，LTC6906 不受加速、冲击和震动问题的困扰。其时钟启动时间仅为 200us，非常适用于时钟速度可能降低或甚至关断时钟以节省功率的便携式
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凌特 封装
- 2004年10月B版简介利用最先进的材料设计低成本的高度可靠的微波电子、微电子、光电子和功率半导体系统是不现实的。为了保证此类设备的可靠性，需要电子封装和衬底热管理解决方案，因此工程师需要既能够提供热管理特性，同时又能够在更小型的设计中达到最优功率密度的材料。要低成本生产此类材料需要满足封装设计功能要求的健壮成型工艺。铝碳化硅(AlSiC)金属基体复合材料为电子封装提供了高度可靠且成本经济的热管理解决方案。它可提供高热传导率(~200 W/mK)以及可调的低热膨胀系数(CTE)。对于需要减轻重量以及需要耐
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封装
- 安森美半导体（ON Semiconductor）推出全新高性能、微型封装的静电放电（ESD）保护二极管系列，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。新系列中的五个ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1（2.5 V）, ESD5Z3.3T1（3.3 V）, ESD5Z5.0T1 （5.0 V）, ESD5Z6.0T1（6.0 V）和ESD5Z7.0T1（7.0 V）。这些器件为钳制快速上升的ESD脉冲而设计，防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kV的输入波形（符合 IEC61000
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安森美 封装
- Crolles2 联盟成员飞思卡尔、飞利浦与意法半导体扩大了该联盟的半导体合作研发活动范围，合作项目除最初的100-nm以下的CMOS制造工艺外还包括了相关的晶片检测与封装的研发活动。
飞利浦半导体公司高级副总裁兼技术总监Ren
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Crolles2 联盟 封装
- Casio Computer Co., Ltd. 和瑞萨科技公司签署协议，Casio授权瑞萨科技使用其晶园片级封装 (WLP) 半导体器件封装技术。
这个协议标志着Casio首次授权其它日本半导体器件制造商使用其WLP技术。
协议的要点如下：
1. Casio将在不断发展的基础上向瑞萨科技提供其WLP技术。瑞萨科技将在其半导体器件制造过程中积极使用WLP。
2.瑞萨科技被授权使用WLP制造和销售芯片级封装 (CSP)*1产品，瑞萨科技可以自行制造也可以通过其子公司进行制造。
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Casio 瑞萨 封装
- — 努力推动WLP (晶圆片级封装) 技术的标准化 —
东京，2005年1月18日— Casio Computer Co., Ltd. 和瑞萨科技公司签署协议，Casio授权瑞萨科技使用其晶园片级封装 (WLP) 半导体器件封装技术。
这个协议标志着Casio首次授权其它日本半导体器件制造商使用其WLP技术。
协议的要点如下：
1. Casio将在不断发展的基础上向瑞萨科技提供其WLP技术。瑞萨科技将在其半导体器件制造过程中积极使用WLP。
2.瑞萨科技被授权使用WLP制造和销售芯片级封
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Casio 瑞萨 封装
- Microchip推出兼具锡铅焊镀材料价格优势及向前、向后兼容功能的新型环保封装
全球领先的单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology（美国微芯科技公司）近日宣布，该公司所有的产品自 2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡（Matte tin）作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡/铅焊接工艺，并向前兼容用于采用锡/银/铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。
欧盟
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Microchip 封装
- 单片机和模拟半导体供应商——Microchip Technology（美国微芯科技公司）近日宣布，该公司所有的产品自 2005年1月起将采用符合环保要求的无铅焊镀封装，以符合即将在全球范围内实施的政府法规和行业标准。Microchip将采用雾锡（Matte tin）作为新的焊镀材料，确保所有的无铅产品都能向后兼容于行业标准和锡/铅焊接工艺，并向前兼容用于采用锡/银/铜等专业无铅锡膏的高温无铅工艺。欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制（RoHS）”法令，对所有在欧盟成员国内生产和销售的电子设备的含
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Microchip 封装
封装介绍
程序 封装 (encapsulation)
隐藏对象的属性和实现细节，仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.
封装 (encapsulation)
封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合，形成一个有机的整体，也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合，形成“类”，其中数据和函数都是类的成员。
封装的目的是增强安全性和简化编程，使用者不必了解具体的 [
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