内存疯闪存喷 存储业界涨势深度分析

　　9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%

　　最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。

　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。DDR2产品出现缺货情况，因日本和南韩的记忆体晶片制造商，皆已转向生产 DDR3 DRAM。PC制造商对DRAM的需求增长强势，部分原因在于微软的新系统 Windows 7 需要，Windows 7将于10月22日正式公开亮相。虽然说Windows7不是救世主，但是Windows7也极大的刺激了内存方面的消费。一般用以制造随身型音乐播放器的16GB NAND Flash，9月平均价格增加4%到4.70 美元。32GB的款式价格则上扬11% 至约7.50 美元。

　　智能手机的普及，也提高了Flash记忆体的需求。一位分析师臆测指出，此波价格上涨乃因为苹果公司大幅调升其iPhone 3GS产品的生产数量。苹果最新发行的iPod播放器，销售情况也相当优秀强劲。另一方面，全球第2大的NAND制造商东芝高层人士指出，大容量SD卡的需求也正与日俱增。无论是内存还是闪存，在10月的时候，还会有进一步上扬的态势。我国南方山寨厂商，要想进一步压低成本，可以在最近多囤积一些内存闪存，以便应付即将到来的圣诞节和春节的大批量订单。

　　DRAM现货坐地起价飙到2.5美元

　　本月初DRAM站稳2美元后，随旺季需求延续，上周以来DRAM涨势加速，每天都以上涨逾3%的幅度前进，目前DDR3、DDR2持续走涨，1Gb DDR2 800MHz上涨2.71%，来到2.5美元，创近一年半新高价。

　　1Gb DDR2上涨2.64%，为2.41美元;1Gb DDR3上涨1%，来到2.35美元。预计本月上旬现货价飙涨超过两成，1Gb DDR2不但抵2.5美元，且价格超越DDR3，预期短期仍有机会挑战新高，惟波段涨幅已高，本月下旬涨势可能降温。随现货走扬，力晶积极扩产，有利10 月营收再攀高。9月南科合约价涨幅约15%，本月合约价涨势可望加温，预估南科10月合约价涨幅二成以上。

　　高规格生产工艺吓死人

　　日本记忆体晶片大厂尔必达宣布，将在年底导入40纳米制程量产，尔必达在台合作伙伴力晶、瑞晶随后跟进，成本竞争力大增。由于40纳米技术可增加近五成产出，尔必达联盟对后段封测协力厂力成将扩大订单，同步受惠。尔必达计划斥资400亿日圆约为4.52亿美元，跨入40纳米制程以提高产出，尔必达表示，由现今50纳米制程微缩到下个世代制程，每片晶圆产出可增加44%。

　　另外半导体大厂三星子、海力士半导体均大举微缩制程，以增加单一晶圆的产出量。透过制程微缩来降低成本，平均每一个纳米世代，所投入成本约10亿美元左右。伴随着记忆体价格回升，今年以来主流DRAM价格约上涨3倍之多，具有实力半导体厂展开另一回合制程竞赛。