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东芝全球首家出货32nm工艺闪存

作者:时间:2009-04-28来源:cnbeta收藏

  昨天宣布,于业界首家开始出货32nm工艺NAND颗粒。其中,全球首颗32nm工艺32Gb(4GB)NAND单芯片样品即日起出货,主流容量16Gb(2GB)颗粒样品将于今年7月推出。表示,首批32nm NAND将主要用于存储卡和USB存储设备,未来会扩展到嵌入式产品领域。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/93876.htm

  目前,是全球领先的32GB供应商,使用8颗43nm工艺32Gb颗粒堆叠而成。而32nm工艺的应用将进一步提高生产效率,减小芯片体积,适应更高容量,更小巧的掌上产品需求。

  东芝的32nm工艺32Gb NAND颗粒将于今年7月开始量产,比原计划提前两个月,16Gb产品则会在今年四季度量产。32nm产品都将在东芝位于日本四日市的工厂内制造。



关键词: 东芝 纳米 闪存

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