- 中国上海，2022年8月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。 TLP5222持续监测其驱动的功率器件的漏极-源极电压（VDS）[1]或集电极-发射极电压（VCE）[2]。内置的过流检测与保护功能可检测出功率器件中因过流导致的任何VDS或VCE上升，并执行
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东芝 栅极驱动 光耦
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。 新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
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东芝 SiC MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出其步进电机驱动IC产品线的新成员“TB67S549FTG”。这是一款采用小型封装的步进电机驱动IC，内置恒流控制功能，无需借助外部电路元件。新款驱动IC有助于节省电路板空间，适用于办公自动化和金融设备等工业设备。该产品于今日开始出货。 TB67S549FTG的输出功率晶体管采用东芝的DMOS FET[1]，绝对最大额定电机输出电压为40V，绝对最大额定电机输出电流为1.5A[2]。该产品采用QFN24封装，与采用QFN32封装的东芝
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东芝 步进电机 驱动IC
- 从“一纸规划”到项目“遍地开花”，短短五年时间，雄安新区建设日新月异。东芝电梯（中国）有限公司（以下简称：东芝电梯）作为城市垂直交通解决方案提供者，深度参与到雄安新区的建设中，至今已为“容东”和“容西”片区交付共计470余台住宅电梯和扶梯，其中包括东芝经典之作SPACEL系列无机房电梯、KINDMOVER自动扶梯。雄安新区由党中央、国务院共同批复，被称为“千年大计、国家大事”，也是继深圳经济特区和上海浦东新区之后又一具有全国意义的新区。容东片区、容西片区是新区率先开发建设的区域，承担着安置回迁群众、承接北
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- IT之家 8 月 10 日消息，东芝今日公布了截至 6 月底的第一财季业绩。由于全球芯片短缺和原材料成本上升，东芝第一财季营业亏损 48 亿日元，为两年来首次出现季度亏损，上年同期净利润 145 亿日元。此前分析师预期当季盈利 194 亿日元。第一季度，东芝净利 258.9 亿日元，较去年同期增加 44%，市场分析师的预估中值为净获利 228.5 亿日元；当季销售净额 7,406.5 亿日元，较去年同期增加 1.8%，市场分析师的预估中值为 7,513 亿日元。东芝指出，物流成本大增也是上季亏损主因之一，
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东芝 第一财季 亏损
- 据东芝近日官网宣布，他们的第三代 SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年 8 月下旬开始量产。据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约 20%。2020 年 8 月，东芝利用这项新技术量产了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。这是一种将 SBD 嵌入 MOSFET 的结构，将其与 PN 二极管 并联放置 ，能将可靠性提升 10 倍 。虽然上述器件结构可以显著提升可靠性，可它却有着无法规避的缺点 —— 特定导通电阻和性能
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东芝 半导体 场效应管
- 和传统的硅功率半导体相比，GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能 , 是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性，简单来说，GaN
的开关速度比 SiC 快，SiC 工作电压比 GaN 更高。GaN
的寄生参数极小，开关速度极高，比较适合高频应用，例如：电动汽车的 DC-DC（直流 - 直流）转换电路、OBC（车载充电）、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大
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202207 东芝 共源共栅 GaN
- 受访人：黄文源 东芝电子元件（上海）有限公司半导体技术统括部技术企划部高级经理1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 回答：自从半导体产品面世以来，硅一直是半导体世界的代名词。但是，近些年，随着化合物半导体的出现，这种情况正在被逐渐改变。通常，半导体业界将硅（Si）作为第一代半导体的代表，将砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)作为第二代半导体的
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东芝 GaN 级联共源共栅
- 日本最大的公用事业公司东京电力公司（Tepco）正考虑加入一个竞购联盟，共同竞购半导体制造商东芝。这家日本最大的电力公司是看上了东芝的核电业务，希望加入竞购联盟。
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日本 公用事业 东京电力 东芝
- 近年来，随着科技的飞速发展，从“制造”向“智造”转型的故事正在全球迅速上演。无论是井然有序的自动化工厂还是数字化的信息管理系统，无一不在彰显智造时代的到来。然而智能制造这件事在20世纪60年代之前，可没有这么容易。当时在工厂生产线中，大部分使用的是继电器、接触器等控制系统，这些系统存在着修改难、体积大、噪声大、维护不方便以及可靠性差等弊端。为了改进这些问题，美国某汽车生产商向社会公开招标，号召大家设计一种新的系统来替换继电器系统，并提出了著名的“通用十条”招标指标。于是在1969年，第一台可编程控制器诞生
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东芝 控制器
- 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布扩大与东芝的全球合作，进一步大幅拓展东芝产品线并增加产品库存。 通过扩大合作，e络盟将能为全球客户供应东芝的800种产品，2023年将进一步增加到1000多种，其中还将包含东芝推出的更多新品。 近几年，受疫情和半导体供应短缺影响，客户的采购方式明显发生了改变。为此，e络盟与东芝达成此次新合作，以便e络盟客户能够便捷地购买到新设计及现有设计改进所需组件。尽管e络盟在过去几年里只供应少数几个东芝产品系列，但销售成绩斐然。而此次新增系列
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东芝 光电耦合器
- 继2022年1月11日东芝电梯（中国）有限公司被认定为全球研发中心后，6月15日,上海市第三十五批跨国公司地区总部和研发中心颁证仪式在上海展览中心举行，东芝电梯（中国）有限公司总经理野杁朗友应邀出席颁证仪式并作为企业代表发言。 &nb
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- 光耦器件对于电路保护的重要性是不言而喻的，是业界公认的“隔离器”。随着行业的发展，光半导体器件性能也得到了极大提升，但是面对着低压的使用场景，传统的光耦元器件很难帮其实现高速通信功能，设计者们在找不到合适替代器件的条件下，不得不增加外围辅助电路设计，从而使光耦实现隔离保护。这样一来不仅让电路设计变得复杂化，同时也增加了器件成本，其应用价值大幅降低。在光电子器件领域耕耘多年的东芝半导体研发出了一款适用于低压高速率传输应用的光耦器件——TLP23x2，它能够很好地帮助电子工程师解决低压环境中光耦传输延时性的问
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光耦 东芝
- 我们常说的“通信”是一种信息传输方式，常用的比如串口、RS-485、CAN等等都是通信的方式之一。通信易受干扰，一旦有干扰，信号会变得不稳定，轻则交互的数据因为有错误而变得没有意义，重则会损坏通信设备，直接造成经济损失。那么如何解决这种干扰呢？一般情况下，会在这种通信线路上搭载数字隔离模块或者数字隔离芯片，但是这种模块或者芯片会因通信速率增加成本提高，同时会占用很大的PCB空间。有人会考虑利用光耦的隔离特性来实现数字隔离效果，但通信速率过高时，光耦可能会因数据处理不及时出现数据丢失的情况。东芝对以上两种方
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光耦 通信 东芝
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%，后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的15
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东芝 150V N沟道 功率MOSFET
东芝介绍
东芝（TOSHIBA），是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。
历史
东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。
两家公司中第一个成立的是田中制造所，那是日本国内第一家电报设备制造公司；是由田中久重于1875年创立的。在1904年公司更名为芝浦制作所。在20世纪初期，公司以供应日本国内的重型机电制造为主业；在明治维新之后，公司更跃升为世界的工业大厂之一。
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