全球代工为什么争相扩充8英寸产能

　　两则消息引起业界兴趣。一则是无锡海力士—意法半导体(Hynix—ST Semiconductor)于07年9月6日宣布，与中国华润(集团)有限公司就出售200mm晶圆的生产线“C1-FAB”签订了正式协议。 韩国海力士半导体为竞争力已达到极限的200mm晶圆生产线采取各种处理方案。尽管华润与海力士均未透露具体交易金额。不过，从一位业内人士处得知，华润为该生产线付出了3.8亿美元。

　　另一则消息是全球代工厂中，台积电，中芯国际，特许及世界先进皆积极扩充8英寸产能。其中台积电购买Atmel的8英寸旧设备，用于扩充松江厂；中芯国际更是一马当先，一方面在成都布局“成芯”8英寸旧线，目前已进入量产水平。另一方面又宣布近期将于深圳再建8英寸生产线；台积电投资的世界先进购并华邦的8英寸旧线以及近期特许以2.33亿美元买下日立于新加坡的8英寸旧线，月产能达2.4万片等。
　
图1 半导体各个领域的制造工艺收缩不可逆转

　　正当全球12英寸节节向上，呈主流状态时，全球代工却一反常态，争相扩充8英寸产能。其实以上两则消息并无矛盾。表明在存储器领域中8英寸的局限性逐渐显露，纷纷退出而转向12英寸。而在全球代工中，由于0.13至0.35微米段的市场需求旺盛，而相对90及65纳米段的订单弱，再次选择8英寸旧线，从经济上也合乎情理。因此不同事物有不同策略在市场经济中是正常的选择。

市场竞争的新格局

　　从06年开始全球半导体业中存储器的地位再次引起业界极大的关注。由于存储器的特征，竞争实力主要依靠采用更小的尺寸及规模取胜。在DRAM中07年时主流的先进制程为70纳米。

　　全球DRAM厂花大量的投资于70纳米制程，却因DRAM价格下跌远快于DRAM制程技术所产生成本下跌速度，使70纳米制程成为DRAM产业有史以来最短命技术。通常一个制程技术大多使用2年，有的3年，此次70纳米制程技术仅使用1年，恐是DRAM产业有史以来最不划算的投资。其中台湾力晶07年第二季开始导入70纳米制程，将在08年的第二季投入下一代65纳米制程技术。三星于07年Q2(第二季)导入68纳米制程，而08年将转入58纳米制程；海力士07年时采用66纳米制程，至08年Q2时将导入54纳米制程。

　　而在NAND中会采用比DRAM更先进的制程。预计08年全球NAND将有60%的