专利设计发功　ROHM量产沟槽式SiC-MOSFET

　　SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET，并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%导通电阻，大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。

　　罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示，新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利，目前已开始量产。

　　罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示，相对于Si-IGBT，SiC-MOSFET有着耐高温、高耐压等特性，可降低导通电阻、切换损耗及能量损耗，使开关速度更快速，并藉由驱动频率的提升，可让机器小型化。

　　新研发的沟槽式SiC-MOSFET，其闸极部分为沟槽结构，可提高CELL密度，使相同导通电阻的元件以更小的晶片尺寸呈现，藉此打造导通损耗更低、开关性能更好的元件。和过往平面型SiC-MOSFET相比，沟槽式SiC-MOSFET可降低约50%的导通电阻及约35%的输入电容，提高开关性能。

　　据悉，现今市面上的沟槽式SiC-MOSFET，多为单沟槽结构，虽可有效降低导通电阻，但由于其电场集中在闸极沟槽底部，若电场强度过大，便会击穿底部，因此可靠性不佳。

　　罗姆半导体所研发的双沟槽结构，在元件的源极(Source)部分也采用沟槽结构，此设计可缓和闸极沟槽电场集中的问题，以确保元件长期可靠性。罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英进一步指出，该双沟槽结构技术为该公司特有的技术，且已在日本、中国、欧洲及北美地区申请专利。

　　此外，罗姆半导体也采用此新沟槽式SiC-MOSFET研发出“全SiC功率模组”。该产品采用二合一的结构，包含两个沟槽式SiC-MOSFET及一个SiC-SBD(萧特基二极体)，额定电压为1,200伏特(V)，额定电流180安培(A)。该模组比过往采用平面型SiC-MOSFET的全SiC功率模组，可降低约42%的开关损耗，至于跟IGBT模组相比，开关损耗更是大幅降低约77%。

　　未来罗姆半导体将持续研发多种SiC相关产品，包括3,300V的全SiC功率模组，及1,700V的SiC-SBD皆已在开发中。