日本欲借节能半导体夺回主导权

　　日本东北大学国际集成电子研究开发中心(CIES：Center for Innovative Integrated Electronic Systems)于2015年3月19～20日在东京召开了第一届成果报告会“1st CIES Technology Forum”。此次会议为期两天，共有近500人参加。虽然是大学主办的会议，但据介绍，来自产业界的听众比学术界的还要多。

　　CIES设立于2012年10月，座落在日本东北大学青叶山新校区内，是研究自旋电子等电力电子技术的研发基地。2013年4月竣工的研究楼里配备了支持300mm晶圆的工艺生产线及测评分析设备。在新一代半导体技术方面拥有如此完善的开发环境的大学研究基地在全球也是很少见的。

　　CIES聘请了很多在产业界拥有丰富经验的技术人员来担任研究人员和教师，所长远藤哲郎就是原东芝的存储器技术人员。该研发中心还积极与产业界合作，正在与东电电子等进行联合研究。通过这些努力，CIES最近实现了STT-MRAM(自旋注入磁化反转型MRAM)用测量系统的产品化。该中心的联合研究合作伙伴之一——知名半导体测量装置企业是德科技日本公司已于2015年3月17日宣布，将于2016年初推出该系统。

　　将材料与元器件方面的技术经验应用于300mm晶圆

　　此次的会议是CIES的首场成果报告会。第一天的会议内容具有浓厚的国际论坛色彩，英特尔及高通等公司纷纷登台，以STT-MRAM为主题发表了演讲。第二天则是对CIES的7个研究项目(Consortium Programme)进行了进度报告等。

　　在会议首日的主题演讲上登台的其中一位是作为日本半导体自旋电子领域“第一人”而为人所知的CIES研究成员、日本东北大学电气通信研究所教授大野英男，他演讲的题目是“Spintronics Devices for Integrated Circuits-An Overview-”。他围绕自旋电子基本元件——磁性隧道结(MTJ)元件，介绍了旨在实现高稳定性垂直磁化的材料和元器件技术。

　　大野教授是日本东北大学节能自旋电子学集成化中心(CSIS：Center for Spintronics Integrated Systems)的核心研究人员。他介绍说，CSIS此前一直在进行3英寸(75mm)晶圆方面的研究，“今后打算把我们已获得的材料技术等经验，应用到支持300mm晶圆、而且与产业界亲和性较高的CIES里”。