超薄双管MOSFET

　　封装的创新非常重要，尤其是在设计适用于支持更大电流的新一代便携式设计所需的超薄的MOSFET时更显得不可或缺。

　　计算机、工业及电信领域的电源应用设计人员通常使用分立式 MOSFET 支持更高的轨道电路，以提升电源效率，但其难点是如何设计出尽可能小的外形尺寸。现在，设计人员可通过与德州仪器(TI)最新电源模块 II 系列的同步 NexFET™ 电源双管 MOSFET结合，同时实现高效率、低导通电阻以及业界最小尺寸的效果。

　　最新超薄电源块 II 器件不仅可使产品变得更密集，同时还可降低功耗，减少散热。

       这款极小型器件的面积为 2.5 毫米 × 3 毫米，高度不足 0.5 毫米，可实现具有最低导通电阻的轻薄设计。电源块 II 可提高标准分立式 MOSFET 的效率，实现显著的节电效果。

　　电源块 II 采用创新的栅格阵列式 LGA 封装，可在半个桥配置中嵌入 两个分立式 MOSFET。这样可为较低的导通电阻及小尺寸实现最多的硅含量。该器件系列可生成 15A 至 30A 的连续电流。此外，它们还具有 DualCoolTM 功能，可通过散热片进行顶部制冷，支持更大的电流。除了更好的散热性能外，最新电源块 II 封装还符合 ROHS 标准，完全不含卤素和铅。

其它资源：

　　查看 CSD87381P NexFET 的产品说明书。

　　观看 TI 最新电源块 II 器件的概览视频。