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超薄双管MOSFET

  • 　　封装的创新非常重要，尤其是在设计适用于支持更大电流的新一代便携式设计所需的超薄的MOSFET时更显得不可或缺。 　　计算机、工业及电信领域的电源应用设计人员通常使用分立式 MOSFET 支持更高的轨道电路，以提升电源效率，但其难点是如何设计出尽可能小的外形尺寸。现在，设计人员可通过与德州仪器(TI)最新电源模块 II 系列的同步 NexFET™ 电源双管 MOSFET结合，同时实现高效率、低导通电阻以及业界最小尺寸的效果。 　　最新超薄电源块 II 器件不仅可使产品变得更密集，同时还可
  • 关键字： MOSFET  封装  NexFET  

德州仪器面向大电流电机控制及电源设计推出40V至100V NexFET™ MOSFET

  • 　　德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器
  • 关键字： TI  TO-220  MOSFET  NexFET  

空间受限型应用中的PMBus热插拔电路介绍

TI推出可在25A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥

  • 　　德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。更多详情，敬请访问：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。 　　NexF
  • 关键字： TI  MOSFET  NexFET  CSD86350Q5D   

TI 推出面向高电流 DC/DC 应用的功率MOSFET

  • 　　日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。 　　该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于
  • 关键字： TI  MOSFET  DualCool  NexFET  
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