TI推出可在25A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥

　　德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET 进行完美整合，可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。

　　NexFET 功率模块除提高效率与功率密度外，还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流，可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间，改善整体电路性能。此外，NexFET 功率模块还能够以低成本方式实现与 GaN 等其他半导体技术相当的性能。

　　CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势：

　　· 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式 MOSFET 器件的 50%;

　　· 可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率，与同类竞争器件相比，效率高 2%，功率损耗低 20 %;

　　· 与同类解决方案相比，无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍;

　　· 底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。

　　供货与价格情况

　　采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货，可通过 TI 及其授权分销商进行订购。此外，样片与评估板也已同步开始提供。

　　查阅有关 TI NexFET 功率 MOSFET 技术的更多详情：

　　· 如欲了解完整的 NexFET 产品系列，敬请访问：http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn;

　　· 通过 TI E2E™ 社区的 NexFET 论坛向同行工程师咨询问题，并帮助解决技术难题：www.ti.com/nexfetforum-pr;

　　· 搜索最新 MOSFET 图形参数选择工具：www.ti.com/mosfet-gps-pr;

　　· 查看针对 NexFET 技术专门优化的 DC-DC 控制器：TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。

　　商标

　　NexFET 与 TI E2E 是德州仪器的商标。所有商标与注册商标均是其各自所有者的财产。