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TI推出可在25A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥

作者:时间:2010-06-18来源:电子产品世界收藏

  德州仪器 () 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 半桥,其占位面积仅为同类竞争功率 器件的 50%。 全新 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 功率 进行完美整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点 (POL) 转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/110110.htm

   功率模块除提高效率与功率密度外,还能够以高达 1.5 MHz 的开关频率生成高达 40 A 的电流,可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间,改善整体电路性能。此外, 功率模块还能够以低成本方式实现与 GaN 等其他半导体技术相当的性能。

  功率模块的主要特性与优势:

  · 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式 MOSFET 器件的 50%;

  · 可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率,与同类竞争器件相比,效率高 2%,功率损耗低 20 %;

  · 与同类解决方案相比,无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍;

  · 底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。

  供货与价格情况

  采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货,可通过 及其授权分销商进行订购。此外,样片与评估板也已同步开始提供。

  查阅有关 TI NexFET 功率 MOSFET 技术的更多详情:

  · 如欲了解完整的 NexFET 产品系列,敬请访问:http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn;

  · 通过 TI E2E™ 社区的 NexFET 论坛向同行工程师咨询问题,并帮助解决技术难题:www.ti.com/nexfetforum-pr;

  · 搜索最新 MOSFET 图形参数选择工具:www.ti.com/mosfet-gps-pr;

  · 查看针对 NexFET 技术专门优化的 DC-DC 控制器:TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。

  商标

  NexFET 与 TI E2E 是德州仪器的商标。所有商标与注册商标均是其各自所有者的财产。



关键词: TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D

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