据报道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市场份额降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 复苏

三星电子因与英伟达的 HBM3E 验证问题而面临困境，据韩国媒体 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 报道，该公司在其 8 月 14 日发布的半年度报告中称，其 DRAM 市场份额按价值计算在 2025 年上半年降至 32.7%，较去年的 41.5%下降了 8.8 个百分点。

值得注意的是，《韩民族日报》报道，三星的 DRAM 市场份额首次跌破 40%，自 2014 年以来，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾达到 48%的峰值。报道补充说，这反映了其在 HBM 方面的疲软。

这与趋势力的调查结果一致：SK 海力士在 2025 年第一季度首次领先 DRAM 市场，市场份额为 36%，而三星从 2024 年第四季度的 39.3%下降至 33.7%。

三星的下半年攻势

根据 Sedaily 的报道，三星计划通过专注于先进产品，包括用于 AI 服务器的 HBM 和高容量 DDR5，在下半年实现强劲反弹。报道指出，三星仅在 2025 年上半年就投入了 180 万亿韩元用于研发，这表明其决心克服短期挫折，赢得长期技术竞争。

值得注意的是，虽然三星尚未通过英伟达的 12 层 HBM3e 认证，但电子商业新闻报道该公司正在加速向 12 层 HBM3E 过渡，甚至放弃了为英伟达中国定制 H20 的 8 层版本的销售。

报道称，虽然 SK 海力士自 2024 年 9 月以来一直在大规模生产 12 层 HBM3E，但三星尚未通过质量测试。据报道，该公司正在重新设计 HBM3E 内存，并提高后端生产效率以迎头赶上。

此外，根据韩国经济日报报道，三星据报道正在寻找封装开发专家，以设计先进 HBM 的新架构，而产品规划招聘将专注于与对定制 HBM 感兴趣的客户协调。该公司计划最早明年推出定制 HBM，以更快地迎头赶上 HBM 先驱 SK 海力士，报道补充道。

虽然一些人建议三星可能会延长 DDR4 的生产并推迟其停产计划，但公司的规模缩减表明其正在转向腾出生产线，专注于更高价值的技术，如 DDR5 和 LPDDR5，因为与中国的竞争日益激烈。

另一方面，尽管最近与特斯拉达成了数十亿美元的人工智能 6 芯片生产协议，但 TrendForce 预计该合作在 2028 年之前不会取得成果，未来存在重大不确定性——很大程度上取决于三星首批 2 纳米产出的性能。