传中芯国际5纳米良率提升至60%-70%

近日，微博账号“定焦数码”爆料称，中芯国际5纳米制程的良率已提升至60%-70%。该传言遭到X账号Jukanlosreve的强烈质疑，称其为编造内容。据Jukanlosreve此前透露，中芯国际计划在2025年前完成5纳米芯片开发，但由于采用深紫外光（DUV）微影设备而非极紫外光（EUV）设备，预计成本将增加50%。

“定焦数码”还指出，中芯国际5纳米良率与三星电子3纳米GAA制程相当。后者已被用于生产Galaxy Z Flip 7搭载的Exynos 2500芯片。然而，Wccftech报道称，基于中芯国际目前的技术进展，Jukanlosreve对传言的驳斥并不令人意外。