TrendForce：库存难去化 内存原厂罕见减产因应

根据集邦科技TrendForce调查显示，自2021年第四季起受部分消费性电子需求走弱影响，导致内存价格进入下跌走势。加上高通膨、俄乌战事与防疫封控的冲击，旺季不旺，致使库存压力已由买方端延伸至原厂。

为因应前述情况，美光（Micron）上周已宣告减产DRAM与NAND Flash，为首家正式下调产能利用率的内存大厂。NAND Flash方面，市况相较DRAM更严峻，随着主流容量wafer合约均价已跌至现金成本，逼近各原厂亏损边缘，铠侠（Kioxia）继美光后也公告自10月起减少NAND Flash产能利用率达30％。

DRAM方面，目前的合约价格仍高过于各主流供货商的总生产成本，因此与NAND Flash相较，尚待观察是否会有大幅减产的情形出现。美光除了提及当前在该领域有微幅下调产能利用率外，主要在强调2023年度资本支出的大幅下修，以及明年度DRAM生产位年成长仅有约5％。TrendForce认为，依照美光的说法，要达到如此保守的位成长，代表产能利用率还有大幅下修空间，后续减产的执行程度仍待观察。

NAND Flash方面，美光原定自今年第四季起逐步放大232层产品比重，然随着调降产能利用率决策落实，预估2023年美光主流制程仍会以176层为主，同时旧制程投片亦将随之减少。铠侠及威腾电子（WDC）原计划在今年第四季起转进至162层产品，然由于威腾对2023年资本支出表露放缓态度，在资金难以到位且需求能见度差的情况下，将大幅降低162层产品比重，无法达成原先于2023年取代112层产品成为主流的计划。

从2023年内存供需态势分析，由于需求展望保守，因此DRAM与NAND Flash在各季度皆呈现大幅度供过于求状态，2023上半年的库存压力将持续快速升高。DRAM领域，在美光率先宣布DRAM减产规划将远低于供给位成长的历史水位后，2023全年DRAM供过于求比例（Sufficiency Ratio）将由TrendForce原先预估的11.6％，收敛至低于10％，有助于改善快速恶化的库存压力，不过后续仍仰赖更多供货商加入DRAM实质减产行为，才能扭转明年供需劣势。

NAND Flash领域由于竞争者众多，且制造方面未有逼近物理极限的限制，故收敛供给位是当务之急。在美光、铠侠供给位成长皆下修的情况下，2023全年NAND Flash供过于求比例将由原先预估的10.1％，大幅下降至5.6％，在更多NAND Flash供货商在亏损考虑加入减产行列的预期下，库存压力可望在2023年第二季有所缓解，而价格跌幅预计在2023下半年出现收敛。