生产力提升15% ASML交付首台极紫外光刻机

芯研所消息，ASML第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户，和前代产品相比生产力提高了约15-20％，套刻精度提高了约30％。

据了解，本次交付的TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机的EUV光源波长13.5nm左右，物镜NA数值孔径0.33，第二代EUV光刻机将会是NXE:5000系列，物镜NA提升到0.55，进一步提高光刻精度。

ASML表示，正努力增加EUV光刻机在存储行业的量产应用，计划协助三个DRAM内存芯片客户在未来的工艺节点中导入EUV。