新闻中心

EEPW首页 > 网络与存储 > 业界动态 > 存储器行业的2018:冰与火之歌|盘点2018

存储器行业的2018:冰与火之歌|盘点2018

作者:时间:2019-01-10来源:集微网收藏
编者按:存储器一直被看成是半导体行业的晴雨表,它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的存储器行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行,伴随着技术上的几许亮色,迈向了2019年。从热火朝天到凛冬将至  2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人。

  一直被看成是半导体行业的晴雨表,它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行,伴随着技术上的几许亮色,迈向了2019年。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201901/396569.htm

  从热火朝天到凛冬将至

  2017年的市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人,SK海力士、美光的营收规模均成长近8成,西部数据的营收更是增长了120.2%,就是以Flash为主要产品的东芝,也成长了29.2%;而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。

  整体来说,2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%,达4197.2亿美元。根据Gartner的分析,存储器的短缺是市场蓬勃发展的最主要原因。整整2017年全年,DRAM价格成长高达44%,Flash价格也上涨了17%。尤其是,Flash价格是有统计数据以来首次呈现上涨的局面。

  2018开年以后更是延续了这种良好的态势,数据中心、人工智能和汽车电子等应用的成长,使得整个市场持续增温。以NANDFlash为代表的闪存市场更是快步前进。美光公司CEO就表示,存储器市场已出现典范转型,以智能手机为中心的移动时代,逐步转入人工智能等驱动的数据经济时代。数据经济需要搭载大量DRAM及NANDFlash协助运算,存储器市场可望一路好到2021年。

  各大存储器厂商亦纷纷开足马力,据福布斯报道,厂商们都在2017年扩大了64层3DNAND存储器的出货量,而128层的3DNAND预计在2020年就可问世,2018年3DNAND将恢复供应量成为市场主流。

  世界半导体贸易统计协会(WSTS)在2018年初的预测报告中,将2018年全球半导体市场规模(销售额)自2017年11月预估的4372.65亿美元(年增7.0%)修订至4634.12亿美元(年增12.4%)。其中,存储器的销售额预估将暴增26.5%至1567.86亿美元。

  就在一片看好的声音中,一些令人不安的预兆也出现了。部分存储器价格在2018年初出现下滑,导致三星电子当期的财报预测低于预期。不过,业界仍认为“这种价格变化在预期之内,并且对整体市场发展有益”。

  转折却在无声中到来了。DRAMeXchange于6月27日发布了闪存市场分析报告,称2018下半年,NAND闪存市场的增长潜力疲软。报告指出,由于处于传统的淡季和产能拉升期,所以在上半年,闪存市场已经有连续两个季度的价格走弱。在这样的态势下,一些供应商甚至暂缓了面向更高密度存储芯片的产能扩张,以避免价格走到崩盘的局面。

  但到了下半年,市场并没有好转。在9月6号,摩根斯坦利分析师ShawnKim就指出,内存市况近几周来有恶化迹象,DRAM需求逐渐趋疲,库存、定价压力与日俱增,而NAND型闪存的供给则确实太多。另一位分析师也指出,智能手机的购买需求难以提升,NAND型闪存的供给过剩情况最近日益恶化。他估计下半年智能手机的出货表现将相对疲弱,苹果与中国智能手机的供应链前景都不太妙。后来的市场表现果然应验了这种预测。目前,对于2019年的市场,各方都认为首季价格跌幅恐持续扩大,直至第2季中旬才会趋缓。

  从年初的蓬勃发展到下半年的寒冬,造成市场反转的元凶是什么?从目前的分析来看,智能手机销量的增长乏力,中美贸易战的阴影,还有产能的盲目扩张都是重要因素。在新的驱动力没有充分发展起来之前,市场恐还会在低位继续运行。

  技术发展上仍有亮色

  虽然市场起伏过大,但存储器的技术发展仍未停步,特别是闪存技术。

  今年,闪存开始步入QLC时代。这种变化在手机上体现最为明显,上半年,NAND原厂的技术主要以量产64层TLC(三比特)为主,下半年部分原厂已经转为96层TLC或者64层QLC。

  QLC闪存每单元可以保存4比特数据,相比TLC又多了三分之一,这样既有利于做大容量,也有利于降低成本,必然是闪存厂商们未来的重点。

  而在容量上,TB时代也逐步逼近。NAND2D极限容量已从128GB上升到64层512GB,96层会向512GB过渡,技术成熟以后量产到1TB技术。随着QLC的量产,即使采用64层QLC也可以量产1T容量。

  值得一提的是,国内企业在闪存技术上也有突破。存储器新势力长江存储公司就在2018年发布了自主创新的Xtacking架构。该架构可用于消费级/企业级SSD还有UFS闪存,且实现了NAND矩阵与外围电路的并行加工。这种模块化闪存开发和制造工艺将大幅缩短新一代3DNAND的上市时间,并使NAND产品定制化成为可能。并且,在一向薄弱的SSD主控芯片领域,国内企业今年也有新品问世。相信在2019年,这种趋势会延续下去。

  2019年,国内存储器领域最大的突破将是自主研发的闪存量产,这将为整个行业带来什么变化,现在仍未可知,但这一定会提升国内半导体行业的士气,为今后的发展奠定坚实的一步。



关键词: 存储器 NAND

评论

技术专区

关闭