新闻中心

EEPW首页 > 网络与存储 > 业界动态 > 今年全球半导体支出将首次突破1000亿美元,内存投资继续疯狂

今年全球半导体支出将首次突破1000亿美元,内存投资继续疯狂

作者:时间:2018-08-30来源:爱集微收藏

  IC Insights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业年均支出总额首次超过1000亿美元。今年1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%,比2016年增长了38%。预计IC占2018年半导体支出的53%,其中,闪存占资本支出的份额最大,而资本支出今年将以最高的速度继续增长。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201808/391360.htm



  如图所示,超过一半的行业资本支出预计用于内存尤其是和闪存生产,包括对现有晶圆厂产线和全新制作设施的升级。总的来说,预计今年内存将占到半导体资本支出的53%,达到540亿美元。用于件的资本支出比例在六年内大幅增加,几乎在2013年27%占比(147亿美元)的基础上翻了一番,2013~2018年复合年增长率相当于达到30%。

  从具体产品类别来看,预计/SRAM的支出增幅最大,但预计用于闪存产品的支出占今年的最大比例,如下图。预计2018年DRAM/SRAM市场的资本支出将在2017年强劲增长82%以后再次达到41%的增长幅度,而今年闪存支出继2017年增长91%之后也将再次增长13%。



  经过连续两年的资本支出大幅增长,半导体厂商眼下面临一个迫在眉睫的问题,即高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。存储历史教训表明,过多的支出通常会导致产能过剩和随之而来的价格疲软。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、SanDisk和长江存储等厂商都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量,还将有中国大陆其他新的内存厂商加入这一大军。IC Insights认为,未来3D NAND闪存市场需求过高的风险不断高涨。



关键词: 存储器 DRAM

推荐阅读

评论

技术专区

关闭