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纳微半导体将在中国台湾的电源设计技术论坛活动上

作者:时间:2018-01-29来源:电子产品世界收藏

   (Navitas)半导体宣布其现场应用及技术营销总监黄万年将在2018年1月30日于中国台北举办的“2018前瞻电源设计与功率组件技术论坛”上发表“利用氮化镓(GaN)功率IC实现下一代电源适配器设计”的主题演讲。他将分享如何利用业内首个及唯一的氮化镓(GaN)功率IC在各种电力系统中显着提高速度、效率和密度的崭新见解。是这项活动的银级赞助商,该活动为具有创新性的制造商、合作伙伴及客户提供了一个交互论坛,以交流加速采用新型氮化镓(GaN)和碳化硅()器件的专业知识。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201801/375067.htm

  黄万年表示:“在四十多年来一直采用慢速且低效的硅组件之后,现时电力电子产业正进入一个令人兴奋的新材料、新器件、新磁学、新控制器及富有想象力的拓朴的新时代。非常期待展示如何在氮化镓组件中实现功率、驱动和逻辑的单片化集成,为智能手机、膝上型计算机、消费产品、电视和新能源应用提供新一代高效、高密度的充电器及适配器。”

  该论坛将于2018年1月30日下午1:00至5:10于台北科技大学亿光大楼二楼集思北科大会议中心举行,此活动详情请参见网页http://www.mem.com.tw/meeting_arti.php?sn=1712190001。

  如果想参加该论坛,请发送电邮至info@navitassemi.com,或是致电联络+1 ThinkGaNIC (+1 844-654-2642)。



关键词: 纳微 SiC

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