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紫光国芯:DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

作者:时间:2018-01-23来源:集微网收藏

  周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍,DDR4与DDR3相比,单条容量有很大提高,可以实现较高的容量。另外,频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压,有利于更低的功耗。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201801/374779.htm

  同时,关于公司在国内业界、排名情况,介绍,公司的芯片设计技术处于世界先进水平,国内稀缺,但目前产品产量很小,市场份额不大。

  针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问,作出上述回应。

  1月26日紫光国芯在互动平台表示,公司西安子公司从事存储器晶元的设计,目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备存储器晶圆的制造能力,公司会考虑与其合作。



关键词: 紫光国芯 DRAM

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