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格罗方德推出12nm制程 成都新厂也将于2018年底投产

作者:时间:2017-09-25来源:TechNews

  (GLOBALFOUNDRIES)于22日宣布推出全新 Leading-Performance (12LP) FinFET半导体制程计划。表示,此技术将可望超越现行14nm FinFET技术的产品,提供密度及效能上提升,进而满足运算密集型的应用,例如包括人工智能、虚拟现实、高端智能手机以及网络基础架构等的处理需求。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201709/364784.htm

  格罗方德指出,相较于现今市场上的16nm和14nm FinFET制程解决方案,全新12LP技术可提供高达15%的电路密度提升,以及超过10%的效能强化,这将赋予12LP技术与其他 FinFET技术全面竞争的优势,而此技术将运用于格罗方德位在美国纽约萨拉托加郡晶圆8厂的生产中。

  而除了电晶体方面的效能提升,12LP平台还将包含专为车用电子设备和射频及模拟应用(RF/analog application)所设计,并以市场为导向的新功能。而车载电子设备和射频及模拟应用,预计将是产业中成长最快速的两个领域。因此,12LP平台将会为市场带来新的发展领域。

  此外,格罗方德预计斥资总金额超过100亿美元,在中国成都高新区西部园区的格罗方德Fab11晶圆代工厂,预计将在10月份举行封顶作业。并且预计在2018年年底前,进行第一期的投产。据了解,目前已经有数家的中国厂商开始与格罗方德合作,开始规划22nm FD-SOI制程的的产品设计工作。

  按照规划,累计投资达百亿美元的格罗方德Fab11晶圆厂,预计将分为两期建设。第一期为主流CMOS制程12寸晶圆生产线,预计2018年年底投产。第二期为格罗方德最新的22FDX,22nm FD-SOI制程12寸晶圆生产线,预计2019年第4季投产。

  据了解,格罗方德的22FDX制程采用22nm FD-SOI(全耗尽型绝缘上覆矽)电晶体架构,为无线的、使用电池供电的智能系统提供业界最佳的性能、功耗和面积组合。未来,格罗方德在成都高新区打造的全球首条22nm FD-SOI 12寸晶圆生产线,产品将广泛应用于移动终端、物联网、智能设备、汽车电子等领域。



关键词: 格罗方德 12nm

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