聚焦20纳米DRAM！华邦电111亿美元建新厂 规划每月4万片产能

　　中国台湾地区DRAM大厂华邦电5日宣布，在南科投资新厂的计划已经获得台湾科技部科学工业园区审议委员会的核准，总投资金额达新台币3,350亿元(约合111亿美元)。若以之前华邦电董事长焦佑钧所说，建厂时间预计3年的情况下，则新厂2020年将可进入投产。

　　华邦电为台湾地区的DRAM大厂，目前仅有中科的一座12寸厂。2016年的年产能约4.3万片，2017年年底将扩增至4.8万片，2018年底则扩增到5.3万片。未来，最大的扩充能量到5.5万片时就已经将当前台中厂的剩余空间给全部用光。

　　因此，面对未来的营运成长，兴建新厂成为不得不做的准备。在相关人员查看过南科路竹基地的土地之后，希望可以取得25公顷规模来建厂，于是华邦电在2017年6月底向经济部补件递交计划书，现在终于获得相关单位的同意。

　　华邦电表示，目前公司正致力于转型为利基型存储器解决方案供应商，近年持续稳定获利，转型效益显著。华邦电在营运成长之际，随着物联网等未来趋势之新兴需求不断崛起，寻求下一阶段成契长机，秉持重视台湾在地投资的理念，向园区提出投资设立新厂案，希望进一步深耕台湾产业发展。

　　未来将依董事会通过时程公告建厂及产能规划相关事宜，亦密切观察市场动态与供需情况，以稳健脚步审视产能配置，期以充沛产能满足客户需求。

　　之前华邦电董事长焦佑钧曾经表示，关于新建厂的计划，原本一点也不急。不料，当前台中12寸厂产能在市况好的情况下，很短的时间内就扩产完毕，而且还不敷使用。再加上因为缺工的因素下，新建厂从动工到试产要花3年的时间，光是土建就要花上20个月。所以，最快必须在当下就决定落脚处，不然时间将会来不及。

　　而根据《科技新报》独家掌握到的消息指出，未来华邦电南科新厂的产能将规划为每月达4万片，以因应目前市场上的需求。而且，近期华邦电就将在董事会上通过该项投资的各项内容，另外预计还进行特定对象的私募增资计划。据了解，该私募计划已经获得国际性半导体大厂的青睐，预计届时将参与该项华邦电的私募。

　　未来，由于有该国际性半导体大厂的加入，使得华邦电的产品有了稳定的出海口之后，可能会进一步驱动缩短建厂的时程。据了解，如果一切顺利，未来期望藉由新厂的土建时期，就逐步先行导入生产设备，并先利用台中厂的有限空间，再逐渐将部分设备安装到位。之后，随着新厂完成兴建，再将设备陆续搬迁至新厂中，以期能缩短其中所必须消耗的测试时间，希望能提早产品进入市场的时间。

　　至于新厂制程计划，主要是为了因应2020年之后需求，生产线将以20纳米世代制程DRAM为主体，也可望建置3x纳米NAND/NORFlash产能。

　　华邦电总经理詹东义日前指出，台中厂产能不足且Flash需求强劲，DRAM及Flash的生产设备不同，今年扩产都以Flash为主，目前台中厂DRAM制程已可支援3x/2x纳米，但投资金额很大，反而是扩充Flash产能的投资效益较好，台中厂的扩产以投资报酬率(ROI)最大化为主轴。但长期来看，华邦电需要兴建新晶圆厂，DRAM产能限制才能移除。

　　华邦电的DRAM制程下半年将开始导入38纳米，低容量NANDFlash目前采用46纳米生产1～2Gb容量芯片，后续进行制程微缩后可望进入32纳米世代，至于NORFlash制程以46/58纳米为主。设备业者预期，华邦电新厂应可在2020年进入量产，以制程推进来看，新厂将会以20纳米世代制程DRAM产线为主轴，NAND/NORFlash则会建置3x纳米产能，后续再视情况建置2x纳米生产线。