ROHM PrestoMOS实现业界最快600V超级结

　　近年来，节能化趋势日益加速，家电节能的标准不断修订，相比传统关注功率负载较大的设备启动时和额定条件下的节能，近年来要求负载较小的正常运转时更节能的趋势日益高涨。据称，在全球的电力需求中，近50%被用于驱动电机，随着空调在新兴国家的普及，全球的电力局势逐年严峻。在这种背景下，ROHM开发出PrestoMOS，非常适用于要求低功耗化的空调等白色家电和工业设备等的电机驱动，可大大降低应用正常运转时的功耗，满足了社会的节能需求。

　　作为家电用MOSFET的领导者，ROHM的高速trr型600V 超级结MOSFET PrestoMOS产品群又新增“R60xxMNx系列”，非常适用于要求低功耗化的白色家电及工业设备等的电机驱动。PrestoMOS是拥有业界最快trr性能的功率MOSFET，以业界最小的开关损耗著称。因使搭载变频器的白色家电的功耗更低而获得高度好评。

　　一般MOSFET具有高速开关和低电流范围的传导损耗低的优点，设备正常运转时可有效降低功耗。“R60xxMNx系列”利用ROHM独有的Lifetime控制技术，不仅保持了业界最快trr性能，而且Ron和Qg更低，非常有助于变频电路的节能。在保障性能的同时，安全性也得到进一步提升，通常，一旦发生短路，即具有电路误动作、流过超出设计值的大电流、引起异常发热、甚至元件受损的可能性。一直以来，因性能与短路之间的制约关系，确保超强的短路耐受能力是非常困难的，而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模拟技术优势，对热失控的成因---寄生双极晶体管成功地进行了优化，可确保电机驱动所必须的短路耐受能力，有助于提高应用的可靠性。

　　自导通是指MOSFET在关断状态下，高边主开关一旦导通，则低边MOSFET的漏极-源极间电压急剧增加，电压被栅极感应，栅极电压上升，MOSFET误动作。该现象使MOSFET内部产生自身功率损耗。而“R60xxMNx系列”通过优化寄生电容，可将该损耗控制在非常微小的最低范围内。

　　此次开发的“R60xxMNx系列”作为ROHM MOSFET产品序列中的高速Trr产品家族，通过优化ROHM独有的芯片结构，在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基础上，还成功地使Ron和Qg显著降低。由此，在变频空调等电机驱动的应用中，轻负载时的功率损耗与以往的IGBT相比，降低约56%，节能效果非常明显。

　　不仅如此，“R60xxMNx系列”利用ROHM多年积累的模拟技术优势，还实现了超强的短路耐受能力，减轻了因电路误动作等导致的异常发热带来的破坏风险，有助于提高应用的可靠性。