新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > 台积电的“12nm”工艺有什么改进? NVIDIA成首家客户

台积电的“12nm”工艺有什么改进? NVIDIA成首家客户

作者:时间:2017-03-16来源:芯智讯收藏
编者按:目前16nm工艺仍然是台积电的主力。不过,很快传闻中的台积电“12nm”也即将出炉。

  虽然,很早就说自己的的10nm工艺已进入量产,但是到目前为止,还没有一款基于10nm工艺的终端产品正式发布。此前有消息称在10nm良率上遇到了一些问题。所以,相应终端产品的面世可能还需要一段时间。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201703/345293.htm

  根据最新的消息显示,针对自动驾驶及AI运算市场所推出的Xavier SoC处理器当中的新一代Volta GPU,将使用台积电的“12nm”工艺,预计最快将在今年下半年量产。

台积电的“12nm”工艺有什么改进? NVIDIA成首家客户

  不过需要注意的是,台积电的12nm工艺跟GlobalFoundries的12nm FD-SOI工艺不同,它实际上是现有16nm工艺的改进版。

  据爆料,台积电即将推出的所谓的12nm,其实是现有16nm工艺的第四代缩微改良版本,具有更低的漏电流及成本,并且线宽微缩能力已领先三星14nm。而改称12nm的目的是反击三星、GlobalFoundries、中芯国际等对手的14/12nm工艺优势,牢牢控制10-28nm之间的代工市场。

  其实这样的数字游戏在半导体行业由来已久,最开始是三星在与台积电的竞争当中抢先将推出了14nm(实际上20nm工艺),所以随后台积电随后也被迫跟进玩起了数字游戏。

  然而这样一来,GlobalFoundries去年推出的12nm FD-SOI工艺就变得有点尴尬了。

  资料显示,GlobalFoundries的12nm FD-SOI工艺能够以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。支持全节点缩放,性能比现有FinFET工艺提升了15%,功耗降低了50%。而掩膜成本则比少于10nm FinFET工艺减少40%!

  也就是说,GlobalFoundries在成本、功耗等方面都要优于台积电的16nm。但是现在,台积电的第四代16nm也改名叫“12nm”了,显然这在宣传和营销上给人的感觉是二者在工艺水平上没有什么区别。而且,台积电的招牌比GlobalFoundries也要更响一些。另外,GlobalFoundries的12nm FD-SOI的量产时间可能要比台积电的“12nm”更晚,这些都将使得GlobalFoundries的12nm FD-SOI工艺在后续的市场竞争当中可能将处于被动的局面。



关键词: 台积电 NVIDIA

评论


相关推荐

技术专区

关闭