美光：3D NAND产能总容量已高于2D　二代3D NAND将进入大批量产

　　美国记忆体晶片大厂美光科技(Micron)财务长Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference时表示，该公司在3D NAND记忆体生产上已取得重要历程碑。

　　科技网站AnandTech报导，Maddock表示，虽然目前2D NAND晶片生产数量仍高于3D，但就记忆体总容量而言，3D NAND产能的总容量已高于2D产品。

　　据悉，美光2D和3D NAND生产采用完全不同的技术。 2D NAND生产依赖于光刻(lithography)技术，3D NAND则是使用沉积(deposition)和蚀刻(etching)技术。由于沉积和蚀刻设备所需成本与空间，远高于光刻设备，并且在转换过程中，原生产线必须要完全停止运作，因此由原本已在生产2D NAND晶片的生产线转换为生产3D NAND产品，并不是一件容易的事。

　　由于美光在2016年初才开始大量生产3D NAND产品，因此在考量产能转换的复杂性下，在短短一年内，该公司3D NAND记忆体容量产能就能高于2D，确实会让外界印象深刻。

　　AnandTech表示，随着美光将NAND记忆体制造技术由2D转往3D，该公司也将营运策略由先前单纯以供应记忆体晶片为主，转向专注在如Crucial MX300系列固态硬碟(SSD)等实际产品上。

　　这意味，随着该公司在缩减2D NAND生产，并加速3D NAND生产的同时，也在减少向第三方销售各种NAND晶片，逐渐脱离NAND记忆体晶片的现货/合约市场。

　　Maddock表示，目前3D NAND记忆体每位元生产成本(cost-per-bit)与先前预估一致，约比2D生产成本要低上20~25%。这对美光转往3D NAND发展，以及固态硬碟产品销售的可能获利，无疑是一大好讯息。

　　资料显示，面对其他业者的激烈竞争，美光固态硬碟产品的市占已由2015年第1季的7.1%，下滑为2016年第2季的3.9%，出货量则由165万颗，下滑为125万颗。因此该公司对基于3D NAND记忆体的最新MX300系列产品推出寄予厚望。

　　此外，Maddock透露，在未来几周内，第二代64层3D NAND产品也将开始进入大批量产阶段。并且第二代3D产品的容量密度不但比第一代产品要高出一倍，而且第二代产品的每位元生产成本，也会再较第一代约减少30%。据悉，美光第二代64层3D NAND产品将由该公司位于新加坡的Fab 10X厂负责生产。

　　目前除美光外，三星电子(Samsung Electronics)与东芝(Toshiba)/威腾(Western Digital)等业者也都准备生产64层3D NAND产品。

　　三星表示，在完成64层V-NAND记忆体在移动式储存装置与行动装置的使用测试后，预计会在2017年将64层V-NAND记忆体运用在固态硬碟产品上。至于东芝/威腾采用64层BiCS 3D NAND的固态硬碟产品，也预计会于2017年推出。

　　根据美光先前公布的2016会计年度第4季(2016年6月3日~9月1日)财报，目前美光DRAM与非挥发性记忆体(NVM)产品营收，分别占总营收的60%与31%。此外，2016会计年度第4季DRAM与非挥发性记忆体平均售价分别下滑了6%与1%;DRAM与非挥发性记忆体销售位元数则是分别成长了20%与13%。