7nm制程将成台积电力压英特尔主战场

　　安谋(ARM)与台积电共同宣布一项为期多年的协议，针对7纳米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。 这项协议延续先前采用ARM Artisan 基础实体IP之16纳米与10纳米FinFET的合作。

　　事实上，以台积电目前先进制程之生产时程来看，属于同一世代的10纳米、7纳米进度已经追上，甚至超越竞争对手英特尔(Intel)。

　　台积电先进制程10纳米、7纳米、5纳米等部分，所有制程皆on schedule10纳米制程2016第1季完成产品认证，而10纳米/7纳米应用非常广泛，如手机、高阶networking、Gaming、wearable等，具有快速的传输效率及低耗电量，而7纳米预计2018年第1季开始量产。

　　据了解，英特尔估计在2018年确定10纳米量产，7纳米估计要到2019年，而三星电子(Samsung Electronics)目前10纳米进度较不确定，台积电在10/7纳米世代已经展现雄心，并且展开多方客户布局。

　　部分相关下游业者表示，未必会使用10纳米产品，如20纳米为16纳米制程之过渡期产品，反而7纳米才是下一世代锁定的主力目标，而此次台积电与ARM的长期合约订立，也确立7纳米未来将成为国际大厂的主战场。

　　据台积电于先前公开法人说明会之说法，7纳米制程可在2018年第1季提供，而依照台积电之计划，5纳米将会在7纳米制程的2年后推出，约在2020年上半可见端倪。