新闻中心

EEPW首页 > 嵌入式系统 > 市场分析 > 2016年迎3D NAND技术拐点,谁输在起跑线?

2016年迎3D NAND技术拐点,谁输在起跑线?

作者:时间:2016-03-08来源:闪存市场收藏

  为了进一步提高NAND Flash生产效益,2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产,但随着逼近 NAND工艺可量产的极限,加快向3D技术导入已迫在眉睫,2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201603/287914.htm

  1、积极导入48层3D技术量产,提高成本竞争力

  与工艺相比,3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb,与主流 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。

  随着3D技术的发展,采用48层堆叠则可将NAND Flash Die容量提升至256Gb,突破2D NAND 128Gb容量,且较32层更有成本和性能优势,这也是Flash原厂在2016年扩大48层量产或加快导入步伐的主要原因,使得2D技术向3D 技术切换点恰好拥有最佳的成本效益。

  2、为量产下“血本”,投资建厂消息不断

  为了更好的研发和投产,以及不输在起跑线,Flash原厂可谓下足了“血本”。三星在3D NAND技术上领先,并为3D NAND量产新建西安工厂,2016年将扩大48层3D NAND量产,并规划在年底实现64层3D NAND量产。东芝/SanDisk的3D技术也采用的是48层,除了改建的Fab 2将在2016年投产外,还投资买地建新3D NAND工厂。

  美光目前已将3D NAND的样本送往客户进行测试,新建的Fab 10x工厂预计将在2016下半年开始投产新一代的3D NAND。SK海力士除了新建的M14工厂计划量产3D NAND,也将投资新建工厂,预计2019年开始投入生产,清州工厂量产的3D NAND已准备开始出货。

  3、3D NAND意在增长迅猛的SSD市场

  大数据时代,SSD正在以每年20%的需求量在快速增长,3D NAND大容量和高性能特性可为SSD带来更高的性能表现。

  三星采用自家的控制芯片,最先将3D NAND广泛应用到SSD中,并开始发售容量高达16TB的企业级SSD,2016年开始将3D NAND应用延伸到嵌入式产品UFS 2.0中。

  美光、SK海力士等也均宣布将在2016年推出基于3D NAND的SSD,英特尔更是研发先进的3D Xpoint技术,在2016年推出搭载3D Xpoint NAND的Optane系列SSD新品。

  此外,国际控制芯片厂Marvell 88NV1120、88NV1140、88SS1074等SSD控制芯片均支持3D TLC NAND,台厂慧荣也推出了一款支持3D MLC NAND的SSD控制芯片SM2246EN,为非Flash原厂的SSD厂商提供SSD控制芯片支持,未来将有更多的3D SSD上市。

  3D NAND蜂拥而至,2016年NAND Flash市场再现供过于求?

  2015年因Flash原厂扩大1ynm TLC量产,以及受全球智能手机出货量增长放缓,平板出货下滑,PC需求持续不振等影响,中国闪存市场网ChinaFlashMarket数据,NAND Flash综合价格指数累积跌幅高达35%,再加上DRAM价格持续下跌,存储产业链厂商营收成长均受到了一定的冲击。

  2016年初市场需求复苏迟缓,NAND Flash价格依然持续跌势,累积2个多月NAND Flash综合价格指数跌幅达3.3%。2016年Flash原厂将相续投入48层3D NAND量产,再加上原厂投资建厂等消息刺激,市场担忧上游原厂NAND Flash产能大增会对市场造成冲击,加剧供过于求的市况,厂商营收获利也再次面临挑战。

  3D NAND量产不定因素大,NAND Flash市场乐观而谨慎

  其实,NAND Flash未来市况也未必非常糟糕。

  从Flash原厂投产情况来看,2016年只有三星能够实现48层3D NAND规模化量产,东芝48层3D NAND才刚进入规模量产阶段,美光、SK海力士预计要等到2016下半年才能够投入生产。

  另一方面,Flash原厂由2D向3D技术过渡,就好比是把平房改为高楼,3D 技术能否顺利量产也是一大考验。近期,市场开始传出除三星以外的其他原厂在研发与投产3D NAND过程中均遇到良率不佳等消息,同时2D工艺进入1znm量产,NAND Flash良率将面临同样的难题,这些都有可能导致NAND Flash产能损失,以及效益受损。

  在市场需求方面,在苹果、三星引领旗舰智能型手机向128GB大容量发展的趋势下,2016年小米5、乐视Max Pro、vivo Xplay5 等也增加了128GB容量,推动2016年旗舰机标配容量从16GB-64GB向32GB-128GB升级,这对于NAND Flash产能的消耗可是翻倍的增长,同时消费类二合一笔记本和数据中心服务器市场对SSD需求量和更大容量的需求都在增加,NAND Flash市场前景还是很乐观的,但供应链厂商仍需谨慎待之。



关键词: 3D NAND 2D

评论


相关推荐

技术专区

关闭