新闻中心

EEPW首页 > 元件/连接器 > 业界动态 > 美国发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向

美国发明辉钼忆阻器 或将改变未来半导体领域方向

作者:时间:2016-02-16来源:金融界收藏

  据美国科学学术网3日报道,美科学家最近使用辉钼制成了辉钼基柔性,可以用其制造低功耗的超高速存储与计算芯片,科学学术网认为这一发明很可能让芯片世界从“硅时代”跨越到“辉钼时代”。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201602/286959.htm

  



关键词: 半导体 忆阻器

评论


相关推荐

技术专区

关闭